【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电子领域，尤其涉及一种。
技术介绍
氮化镓(GaN)基材料具有优异的化学和物理稳定性，可以实现蓝光和紫光的发射，在光电子领域具有广阔的应用前景。目前，GaN基半导体发光二极管(LED)的研究已取得许多成果并逐步转入产业化生产。但是，不论是研究还是产业化生产都面临一些难题，性能良好的LED需要有良好的欧姆接触，制作GaN基LED芯片的一个关键是要得到良好的P型欧姆接触。由于P型Mg掺杂激活困难，其激活能为170meV，加之可供选择的较大功函数的金属材料非常有限，所以在P型GaN上制作欧姆接触电极工艺是比较困难的。现在普遍存在的P型欧姆电极是Ni/Au，那是因为其良好的透光性能和电学性能。淀积前的表面处理和淀积后的合金是常用的降低接触电阻的手段。目前常用的合金方法主要有两种一是氮气气氛下550℃左右合金10分钟左右；二是氮氧混合气氛下550℃左右合金10分钟左右。通常，方法一制作出的LED芯片的寿命长，但是发光效率低，比接触电阻大；方法二制作出的LED芯片发光效率高，比接触电阻小，但是寿命和抗静电、耐高温能力都有所下降，通过氧气氛下合金的方法，可以将Au/Ni/P-GaN的比接触电阻降至4×10-6Ω
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是构造一种，其特征在于，包括如下步骤a)将做好Ni/Au透明电极的外延片进行表面处理；b)在流动的纯氮气环境中，将退火炉的温度恒定在550±5℃，合金10～15分钟；c)取出外延片进行冷却，在外延片的温度达到室温后保持10分...
【技术保护点】
一种改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法，其特征在于，包括如下步骤：ａ）将做好Ｎｉ／Ａｕ透明电极的外延片进行表面处理；ｂ）在流动的纯氮气环境中，将退火炉的温度恒定在５５０±５℃，合金１０～１５分钟；ｃ）取出 外延片进行冷却，在外延片的温度达到室温后保持１０分钟；ｄ）冷却后，在含氧气流下，将退火炉的温度恒定在５５０±５℃，进行第二次合金５－２０分钟，取出冷却。
【技术特征摘要】
1.一种改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法，其特征在于，包括如下步骤a)将做好Ni/Au透明电极的外延片进行表面处理；b)在流动的纯氮气环境中，将退火炉的温度恒定在550±5℃，合金10～15分钟；c)取出外延片进行冷却，在外延片的温度达到室温后保持10分钟；d)冷却后，在含氧气流下，将退火炉的温度恒定在550±5℃，进行第二次合金5-20分钟，取出冷却。2.根据权利要求1所述的改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法，其特征在于，在步骤d中，含氧气流的具体成份为氧和氮，氧氮比例3∶7。3.根据权利要求1所述的改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法，其特征在于，在步骤c中，整个冷却步骤所需时间为20-60分钟。4.根据权利要求1-3中任...
【专利技术属性】
技术研发人员：臧运胜，
申请(专利权)人：深圳市方大国科光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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