LED报废片再利用方法技术

本发明专利技术涉及一种ＬＥＤ报废片再利用方法，包括以下步骤：刻蚀步骤Ａ：采用化学刻蚀法依次刻蚀所述报废片上的Ｐ型层、发光层、和Ｎ型掺杂层，并保留表面平整未掺杂的ｕ－ＧａＮ层。利用化学刻蚀法对报废片进行处理，避免了现有技术的机械打磨对衬底的应力损伤，能够更好的将报废片回收再用，实现了报废片回收再利用价值。另外，可以在ｕ－ＧａＮ层上制备微结构的图形衬底，对于后到ＭＯＣＶＤ生长ＬＥＤ全结构能有效释放外延层应力，改善结晶质量，提高ＬＥＤ流明效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED (发光二极管)芯片的制备方法，更具体地说，涉及一 种LED报废片再利用的方法。
技术介绍
GaN (氮化镓)是近年来受到普遍关注的第三代化合物半导体。其优越的 物理、化学性质，使其在光电子、微电子等领域有着巨大的应用潜力。早在本 世纪二、三十年代，就有---批科学家从事GaN的研究。由于难于获得高质量 的材料，其研究和应用受到了很大的限制，在八十年代之前，GaN的研究一 直局限在材料的性质研究上。直到八十年代末期，两步生长法的提出和P型 GaN的实现克服了 GaN的研究障碍，极大地推动了 GaN材料和器件研究的发 展。使GaN的研究成为近年来应用物理研究的一大焦点。由于GaN-InN材料体系的能带宽度为1.9-3.4ev，覆盖了从红光到紫外波 段很大一部分可见光的范围，使其在全彩显示、交通指示灯、平板显示器和室 内照明等领域都得到广泛应用。GaN具有直接带隙、热稳定性好、化学性质 稳定、热导率高等特点，使得GaN器件具有高效、节能、长寿命、免维护、 环保、高稳定性等优点。GaN的这些优点使其在电学器件的研究中也有巨大 的应用价值。在照明领域，专家预计半导体照明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＬＥＤ报废片再利用方法，其特征在于，包括以下步骤：　刻蚀步骤Ａ：采用化学刻蚀法依次刻蚀所述报废片上的Ｐ型层、发光层、和Ｎ型掺杂层，并保留表面平整未掺杂的ｕ－ＧａＮ层。

【技术特征摘要】
1、一种LED报废片再利用方法，其特征在于，包括以下步骤刻蚀步骤A采用化学刻蚀法依次刻蚀所述报废片上的P型层、发光层、和N型掺杂层，并保留表面平整未掺杂的u-GaN层。2、 根据权利要求1所述的LED报废片再利用方法，其特征在于，该方法还包括步骤在刻蚀步骤A之前的预处理步骤-:Bl:清洗所述报废片的金属电极及表面保护层；B2:在经过步骤B1处理的报废片上形成补平层，所述补平层补平报废片 上的N电极区域，同时也在报废片P电极上形成多余层； B3:剥离所述P电极上的多余层。3、 根据权利要求1或2所述的LED报废片再利用方法，其特征在于，该方法还包括图形衬底制备步骤C:在经歩骤A处理后的报废片上制备图形， 形成具有图形的衬底。4、 根据权利要求3述的LED报废片再利用方法，其特征在于，该方法还 包括外延生长步骤D:在步骤C形成的图形衬底上生长出LED全结构。5、 根据权利要求3述的LED报废片再利用方法，其特征在于，在所述歩 骤C中，将所述报废片放入加热的KO...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢建春，
申请(专利权)人：深圳市方大国科光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]