本发明涉及一种LED日光灯，包括灯板(20)、装在灯板(20)正面的LED(30)、连接在灯板(20)正面上罩在LED(30)外围的灯罩(10)以及装在灯板(30)背面的电源(40)，还包括罩在灯板(20)背面将电源(40)包围在内的散...

一种散热日光灯，包括灯板（１１）、固定在所述灯板（１１）正面的发光源（１０）、位于灯板（１１）正面将所述发光源（１０）包围在内的透明灯罩（１２）和位于所述灯板（１１）背面的电源（１７），其特征在于，还包括装在灯板（１１）与电源（１７）之...

一种倒装焊用底板，包括基板，在所述基板上设有由绝缘薄膜和至少两导电薄膜或由导电薄膜和至少两绝缘薄膜逐层交替叠加而成的页状结构；所述每一导电薄膜由所述绝缘薄膜隔开绝缘或每一绝缘薄膜由所述导电薄膜隔开；所述页状结构上设有裸露部分，在所述裸露...

一种半导体芯片，包括ｎ极区域、ｐ极区域，以及ｎ极区域与ｐ极区域之间的电子－空穴复合区域，其特征在于，各电极设有两个或两个以上可供引线的电极部位。这种半导体芯片可用于大功率发光二极管芯片和其它半导体器件的制备，即不限于在ＬＥＤ领域的应用，...

本发明涉及一种蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，所述粘片方法通过在粘片载体上加热熔蜡，然后放置衬底，最后再冷却蜡将衬底固定到粘片载体上，在所述粘片载体和所述衬底之间设置一层使所述衬底的电极与所述粘片载体非直接接触的渗蜡性良好的保护膜。在本...

本发明涉及一种ＬＥＤ报废片再利用方法，包括以下步骤：刻蚀步骤Ａ：采用化学刻蚀法依次刻蚀所述报废片上的Ｐ型层、发光层、和Ｎ型掺杂层，并保留表面平整未掺杂的ｕ－ＧａＮ层。利用化学刻蚀法对报废片进行处理，避免了现有技术的机械打磨对衬底的应力损...

本发明涉及一种背镀晶片的切割方法，包括如下步骤：Ａ１）磨片；Ａ２）在晶片的切割道处贴保护膜；Ａ３）蒸镀；Ａ４）取下保护膜，进行激光划片。由于本发明的背镀晶片的切割方法在蒸镀前贴有保护膜，切割时再撕掉保护膜，从背面切割同样可以看到晶片的正...

本发明公开一种提高芯片出光效率的方法，通过在蓝宝石衬底上制作图形来提高出光率，所述图形为直径为１～１０μｍ的圆柱均匀排布而构成的图形，圆柱高度为０．５～３μｍ，所述方法可以提高出光率在１０％以上，效果明显，本发明还公开了蓝宝石图形衬底的...

本发明公开了高亮度正装ＬＥＤ芯片的制作方法，包括以下步骤：蓝宝石衬底上生长外延片；在外延片上沉积ＳｉＯ↓［２］薄膜；以ＳｉＯ↓［２］薄膜作掩膜，光刻出芯片的Ｎ区图形；用腐蚀溶液清洗未受光刻胶保护的ＳｉＯ↓［２］；用剥离液清洗去除光刻胶；...

本发明公开一种氮化镓外延片的快速检测方法，包括外延片退火、清洗、ＩＣＰ刻蚀、去氧化层清洗、光刻、蒸镀电极、剥离、合金、检测步骤，本发明可方便、快速、准确地检测外延片的各项技术指标。

本发明公开一种ＬＥＤ芯片及其制备方法，ＩＣＰ刻蚀后的芯片周围一圈侧面向内倾斜，呈倒台形。ＬＥＤ芯片的制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上生长ＧａＮ基ＬＥＤ结构外延片；ＧａＮ外延片在Ｎ↓［２］气氛高温退火；用溶剂将ＧａＮ外延片表面清洗干净...

本发明公开一种Ｓｉ衬底上横向外延生长氮化镓的方法，包括在硅衬底表面外延生长一层ＡｌＮ种子层、在ＡｌＮ种子层上再外延生长一层ＧａＮ步骤，还包括以下步骤：（１）、外延生长ＧａＮ层后，将温度从９００～１２００℃在２００～４００ｓｅｃ内快速降温...

本发明涉及一种蓝宝石衬底同温双缓冲层制备方法，包括以下步骤：Ａ１：对蓝宝石衬底放入反应腔内进行氢化处理，得到洁净的蓝宝石衬底；Ａ２：往反应腔内输入反应气氛气体，营造反应气氛，并保持反应腔内的温度和压力在设定范围内；Ａ３：在第一时间段内，...

本发明涉及一种蓝宝石衬底发光二极管芯片的外延生长方法，包括如下步骤，Ａ１）去光刻胶留下ＳｉＯ↓［２］柱状圆形的图案；Ａ２）蓝宝石图形衬底放入外延炉升温，ＳｉＯ↓［２］发生坍塌形成半球状。由于本发明的蓝宝石衬底发光二极管芯片的外延生长方法...

本发明涉及一种晶片的分选方法，其特征在于，包括如下步骤：Ａ１）将蓝膜包在底座上；Ａ２）分选好的晶片放在蓝膜上。由于本发明的晶片的分选方法不需要再翻膜，减少了管芯损失和对晶片的静电伤害，管芯排列更整齐，保持原来的整齐度，减少一道工序，减少...

本发明涉及一种利用硅（００１）制备ＧａＮ基ＬＥＤ的图形衬底的方法，包括以下步骤：Ａ１：在硅（００１）上制备具有图形开孔的掩膜；Ａ２：将步骤Ａ１得到的硅（００１）放入到具有各向异性蚀刻特性的腐蚀溶液中，制备出具有图形的硅片，该硅片具有硅（...

本发明公开了制作高亮度ＬＥＤ芯片的方法，包括以下步骤：蓝宝石衬底上生长外延片；在外延片上沉积ＳｉＯ↓［２］薄膜；以ＳｉＯ↓［２］薄膜作掩膜，光刻出芯片的Ｎ区图形；用腐蚀溶液清洗未受光刻胶保护的ＳｉＯ↓［２］；用去胶溶液清洗去除光刻胶；刻...

本实用新型涉及一种全彩背光模组，包括金属支架、安装在所述金属支架上的金属电路基板、以及固定安装在所述金属基板上的全彩光源组件。实施本实用新型的全彩背光模组，通过将全彩光源组件直接焊接到金属电路基板上，优异的导热导电性能。金属材料套件和环...

本实用新型涉及一种单色背光模组，包括金属支架、安装在所述金属支架上的金属电路基板、以及固定安装在所述金属基板上的单色光源组件。实施本实用新型的单色背光模组，通过将单色光源组件直接焊接到金属电路基板上，优异的导热导电性能。金属材料套件和环...

本实用新型涉及一种三面背光模组，包括金属支架、电路基板、以及光源组件，所述金属支架为三棱柱金属支架，所述三棱柱形金属支架的三个侧面分别形成供所述电路基板安装的开槽，所述光源组件固定安装在所述电路基板上。实施本实用新型的三面背光模组，通过...