一种功率MOS器件的测试方法及实现该方法的产品技术

本发明专利技术公布了一种功率ＭＯＳ器件的测试方法和实现该方法的产品，对多个器件进行同时测试，将封装后良品率可能较低的硅片在硅片测试阶段发现出来，并进行全数芯片的测试，剔除不良芯片，从而避免了过多的不良芯片封装成本的浪费。本发明专利技术可用于功率ＭＯＳ器件的测试。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的测试方法，尤其是涉及一种功率MOS器件的测试方法和实现该方法的产品。
技术介绍
使用8英寸硅圆片进行大功率MOS器件制造时，由于单个分立器件的芯片面积较小，一片硅片上的有效芯片个数通常较多。用于器件的封装和测试的成本甚至还超过了芯片制造本身。为了降低测试成本，在进行硅片测试时，现有的测试方案如下1，使用抽样测试的方法，当良品率达到一定值，如80％以上时，则不对硅片上的所有芯片进行测试而将硅片进行封装。2，对于抽样测试良品率小于80％的硅片，进行硅片上全数芯片的测试，测试后将不良芯片剔除。抽样测试虽然大大降低了硅片测试的成本，但是对于进行多个芯片封装的情况，当硅片的良品率不高、在进行硅片测试时只进行了抽样测试而未对硅片上全数芯片测试，也未将不良芯片剔除时，多个芯片封装后的良品率将大幅度降低。如当硅片的良品率为80％，如果将其上的两个芯片封在一起，其为良品的概率就仅有80％×80％＝64％，这种情况下有36％的芯片封装成本被浪费。已有测试方法的缺点是，在硅片的良品率不高的情况下，封装后的良品率将大幅度下降，浪费大量的封装成本。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，提供一种可以降低封装成本损失的大功率MOS器件测试方法及实现该方法的产品。为解决上述技术问题，本专利技术一种功率MOS器件的测试方法，包括以下步骤第一步，待测芯片用相同探针并联后连接到测试机的Gate Sense，Gate Force，Source Sense以及Source Force端；第二步，同时对硅片上的多个器件进行测试；第三步，挑出良品率较低的硅片；第四步，并对良品率较低的硅片进行全数芯片测试；第五步，将不良的芯片剔除。实现本专利技术一种功率MOS器件的测试方法的测试用探针卡，当同时测试的芯片数为n，探针卡的探针数为4×n，其漏电测试规格为已有探针卡漏电测试规格的n倍，导通电阻为已有探针卡导通电阻的n分之一，击穿电压的规格和已有技术探针卡击穿电压规格相同，阈值电压的规格和已有技术的探针卡阈值电压的规格相同。本专利技术一种功率MOS器件的测试方法，模拟封装后的情况，对硅片上的多个器件进行同时测试，可以降低封装成本的损失。附图说明图1为已有技术中单个芯片的探针卡版图；图2为本专利技术一种实现功率MOS器件的测试方法的探针卡版图；图3为本专利技术一种功率MOS器件的测试方法步骤流程图。具体实施例方式以两个芯片封装的情况为例子，说明本专利技术的具体实施方案。修改测试用探针卡上探针的分布，从原来仅用于单个芯片测试的探针分布修改成适用于多芯片测试用的探针分布。测试所用的测试机有Gate Sense，GateForce，Source Sense及Source Force端。已有技术中单个芯片的探针卡版图如图1所示，黑色的小点代表探针。图中4条从探针的引出线分别连接到测试机的Gate Sense，Gate Force，Source Sense及Source Force端。用于两个芯片同时测试的探针卡版图如图2所示，共有8根探针，探针的连接方式如下先将左右两个芯片测试用相同探针并联后连接到测试机的Gate Sense，Gate Force，Source Sense以及Source Force端。该探针卡漏电测试规格为已有探针卡漏电测试规格的2倍，导通电阻为已有探针卡导通电阻的二分之一，击穿电压和阈值电压的规格都和已有技术的探针卡相同。然后进行测试，由于本专利技术在硅片测试时对多个器件进行同时测试，模拟封装后的情况，硅片测试时的良品率就与封装后的良品率情况一致。通过硅片上多个器件同时测试，将封装后良品率可能较低的硅片在硅片测试阶段就发现出来，并进行全数芯片的测试，将不良的芯片剔除，从而避免了过多的不良芯片的封装成本的浪费。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率ＭＯＳ器件的测试方法，其特征在于：第一步，将待测芯片用相同探针并联后连接到测试机的ＧａｔｅＳｅｎｓｅ，ＧａｔｅＦｏｒｃｅ，ＳｏｕｒｃｅＳｅｎｓｅ以及ＳｏｕｒｃｅＦｏｒｃｅ端；第二步，同时对硅片上的多个 器件进行测试；第三步，挑出良品率较低的硅片；第四步，对良品率较低的硅片进行全数芯片测试；第五步，将不良的芯片剔除。

【技术特征摘要】
1.一种功率MOS器件的测试方法，其特征在于第一步，将待测芯片用相同探针并联后连接到测试机的Gate Sense，Gate Force，Source Sense以及Source Force端；第二步，同时对硅片上的多个器件进行测试；第三步，挑出良品率较低的硅片；第四步，对良品率较低的硅片进行全数芯片测试；第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志伟，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]