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本发明公布了一种功率ＭＯＳ器件的测试方法和实现该方法的产品，对多个器件进行同时测试，将封装后良品率可能较低的硅片在硅片测试阶段发现出来，并进行全数芯片的测试，剔除不良芯片，从而避免了过多的不良芯片封装成本的浪费。本发明可用于功率ＭＯＳ器件的...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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