固体摄像器件及其制造方法技术

提供一种固体摄像器件，具备半导体衬底（１），该半导体衬底（１）上具有：多个受光部，排列成１维状或２维状；垂直传送部，将从受光部读出的信号电荷沿垂直方向传送；水平传送部，将由垂直传送部传送的上述信号电荷沿水平方向传送；阻挡区（５），与上述水平传送部相邻，形成为仅使水平传送部的剩余电荷通过；漏区（６），与上述阻挡区（５）相邻，用于将通过了上述阻挡区（５）的上述剩余电荷排出；以及绝缘层（８），与上述漏区（６）相邻；上述漏区（６）形成为，其一部分位于上述绝缘层（８）的下层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及固体摄像器件、特别涉及CCD(Charge CoupledDevice，电耦合器件)型。
技术介绍
近年来，固体摄像器件作为数字静像照相机和数字摄像机的摄像器件，其需求正在扩大。此外，在以便携式电话为代表的便携终端装置中，要求附加照相机功能，作为这种便携终端装置的摄像器件，固体摄像器件的需求也正在扩大。进而，为了得到高品质的图像，每年固体摄像器件的像素数都有上升的趋势。此外，随着数字静像照相机、数字摄像机、便携终端装置的低电力化要求，也要求固体摄像器件的低电力化。这里，利用图5～图8说明现有的固体摄像器件。首先说明现有的固体摄像器件的大体结构。图5是表示现有的CCD型固体摄像器件的大体结构的俯视图。如图5所示，CCD型固体摄像器件具有半导体衬底101。在半导体衬底101上设有多个受光部102，呈二维状排列；垂直传送部(垂直CCD)103，沿着受光部102的垂直方向的列，对每列配置；水平传送部(水平CCD)104，与受光部102的最终行相邻地设置。受光部102是光电二极管，根据受光的光的强度来存储电荷。此外，由一个受光部102和与其相邻的垂直CCD103的一部分构成一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固体摄像器件，具备半导体衬底，该半导体衬底上具有：多个受光部，排列成１维状或２维状；垂直传送部，将从上述受光部读出的信号电荷沿垂直方向传送；水平传送部，将由上述垂直传送部传送的上述信号电荷沿水平方向传送；阻挡区，与上述水平传送部相邻，形成为仅使上述水平传送部的剩余电荷通过；漏区，与上述阻挡区相邻，用于将通过了上述阻挡区的上述剩余电荷排出；以及绝缘层，与上述漏区相邻；其特征在于，　　　　上述漏区形成为其一部分位于上述绝缘层的下层。

【技术特征摘要】
JP 2005-1-28 021942/20051.一种固体摄像器件，具备半导体衬底，该半导体衬底上具有多个受光部，排列成1维状或2维状；垂直传送部，将从上述受光部读出的信号电荷沿垂直方向传送；水平传送部，将由上述垂直传送部传送的上述信号电荷沿水平方向传送；阻挡区，与上述水平传送部相邻，形成为仅使上述水平传送部的剩余电荷通过；漏区，与上述阻挡区相邻，用于将通过了上述阻挡区的上述剩余电荷排出；以及绝缘层，与上述漏区相邻；其特征在于，上述漏区形成为其一部分位于上述绝缘层的下层。2.如权利要求1所述的固体摄像器件，其特征在于，上述漏区形成为，位于上述绝缘层的下层的部分的扩散层深度，比其他部分的扩散层深度深。3.如权利要求1所述的固体摄像器件，其特征在于，上述水平传送部具有水平传送电极，上述水平传送电极形成为，其与上述漏区及上述绝缘层在上述半导体衬底的厚度方向上重合；对上述水平传送电极的驱动电压的施加，是在上述半导体衬底厚度方向上与上述漏区的位于上述绝缘层的下层的部分重合的位置进行。4.如权利要求1所述的固体摄像器件，其特征在于，在设有上述受光部、上述垂直传送部、上述水平传送部、上述阻挡区、上述漏区、以及上述绝缘层的区域的周边，形成有晶体管元件；对于上述晶体管元件，上述绝缘层具有作为元件隔离层的功能。5.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗山俊宽，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]