一种制造半导体器件的方法技术

当激光束照射到半导体薄膜上时，在衬底与半导体薄膜之间产生急剧升降的温度梯度。因此，半导体薄膜收缩，从而在薄膜中生成翘曲。所以，得到的结晶半导体薄膜的质量有时会恶化。根据本发明专利技术，其特征在于，激光束在半导体薄膜上进行晶化后，实行热处理从而减少薄膜中的翘曲。由于热处理使衬底收缩，减少了半导体薄膜中的翘曲，于是半导体薄膜的物理性质得到改善。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
1.专利
本专利技术涉及，包括用激光束对半导体薄膜进行退火处理(在下文中称作激光退火)。半导体器件在这里包括诸如液晶显示器件和发光器件的电光器件，和包含电-光器件作为其部件的电子设备。2.相关技术说明近几年，一种晶化玻璃或类似的衬底上形成的半导体薄膜并提高薄膜结晶度的技术受到广泛研究。为了实现上述目的，要对薄膜加热和/或激光退火。通常是利用硅用于形成半导体薄膜。在本技术说明中，激光晶化指用激光束晶化半导体薄膜以得到结晶半导体薄膜的方法。注意，本技术说明中，结晶半导体薄膜指其中存在结晶区域的半导体薄膜。用上述晶化方法形成的结晶半导体薄膜具有高迁移率。因此，结晶半导体薄膜越来越多的被用于诸如单片型液晶电光器件等各类器件中。这些电光器件中，用这种结晶半导体薄膜形成薄膜晶体管(TFT)，在一单片玻璃衬底上形成用于驱动像素的TFT和驱动器电路的TFT。如上所述，结晶半导体薄膜的性能远远优于非晶半导体薄膜。因此，进行了上面提到的研究。对通过加热来晶化非晶半导体薄膜，需要例如在600℃或更高的温度加热10小时或更长的时间，优选的的需要20小时或更长时间。在各种衬底中，能承受晶化条件的有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：位于衬底上的像素电极，形成在所述像素电极上的发光层，以及　具有比发光层上的发光层尺寸更小的阴极。

【技术特征摘要】
JP 2001-2-28 55436/01;JP 2001-2-28 55383/011.一种发光器件，包括位于衬底上的像素电极，形成在所述像素电极上的发光层，以及具有比发光层上的发光层尺寸更小的阴极。2.一种发光器件，包括位于衬底上的像素电极，形成在所述像素电极上的发光层，和位于所述发光层上的阴极，其中所述阴极的边缘位于所述发光层上。3.一种发光器件，包括位于衬底上的像素电极，位于所述像素电极上具有开口部分的岸，形成在所述像素电极和岸上的发光层，以及位于发光层上开口部分中的阴极。4.根据权利要求1，2或3所述的发光器件，其中所述像素电极电连接到薄膜晶体管的结晶半导体薄膜。5.根据权利要求1，2或3所述的发光器件，其中所述发光器件还包括钝化膜以便覆盖所述阴极。6.根据权利要求1，2或3所述的发光器件，其中所述发光器件还包括位于所述阴极上的密封剂以及结合到所述密封剂的覆盖部件。7.根据权利要求1，2或3所述的发光器件，其中所述像素电极是由透明导电薄膜形成。8.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，三津木亨，高野圭惠，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]