半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

彼特线绝缘膜形成后不大幅度扩散彼特线扩散层，充分确保连接部的面积，在该连接部抑制扩散层阻抗增大的同时，谋求存储单元的精细化。半导体装置，具有形成在半导体衬底（１）上部的，分别沿行的方向延伸的复数层彼特线扩散层（２），在上述各彼特线扩散层（２）上分别形成的复数层彼特线绝缘膜（３），在各彼特线扩散层（２）之间形成的复数层栅极绝缘膜（１０）以及在各彼特线绝缘膜（３）及各栅极绝缘膜（３）交叉的复数条字线（４）。在半导体衬底（１）的上部，形成了具有与各彼特线扩散层（２）分别电连接的连接部（６ａ）的复数层连接扩散层（６），在半导体衬底（１）中各连接部（６ａ）的上表面，比各连接扩散层（６）的上表面低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术，涉及一种，特别是关于将设置在半导体衬底上的扩散层用于彼特线的。
技术介绍
近年，字线和彼特线介于绝缘膜交叉，在该交叉部构成存储单元的半导体装置，因为能使存储单元阵列的面积缩小，所以，随着半导体装置的精细化的进展它的重要性在不断增加。以下，参照图10(a)至图10(c)说明具备上述构造的以前的(如参照专利文献1)。首先，如图10(a)所示那样，在由硅(Si)形成的半导体衬底101的上部的行的方向上形成了复数层彼特线扩散层102、在各彼特线扩散层102上形成了彼特线绝缘膜103、在半导体衬底101上相互相邻的各彼特线扩散层102之间形成了复数层栅极绝缘膜(未图示)、分别在各彼特线绝缘膜103及各栅极绝缘膜上的列方向形成的与各彼特线扩散层102交叉的复数条字线104。在此，以平行图的纸面方向为行方向，垂直于纸面的方向为列方向。还有，在各彼特线绝缘膜103的端部，由各彼特线扩散层102的热扩散，到各彼特线绝缘膜103的端部外侧为止扩展形成。接下来，如图10(b)所示那样，以包含各彼特线扩散层102的端部的形式，例如将为电连接其他电路和各彼特线扩散层102的复数层连接扩散层105，由使用显示与彼特线扩散层102相同的导电型的掺杂物的离子注入法形成。由此，形成了连接于各彼特线扩散层102的重叠连接部105a。接下来，如图10(c)所示那样，各字线104、各重叠连接部105a及连接扩散层105的上部分别形成硅化物层106。(专利文献1)特开2002-050705号公报 (专利技术所要解决的课题)然而，上述的以前的，为了降低重叠连接部105a中的扩散层的阻抗，就有必要扩大该重叠连接部105a的面积(平面面积)，为此，在各彼特线扩散层102上分别形成彼特线绝缘膜103后，使各彼特线扩散层102大幅度热扩散是有必要的。这样，若是就进行大幅度扩散各彼特线扩散层102的热处理的话，存储单元内的扩散层也会扩展到必要程度以上，就出现了精细化困难的问题。
技术实现思路
本专利技术，是鉴于上述以前的问题，其目的在于彼特线绝缘膜形成后不大幅度扩散彼特线扩散层，充分确保连接部(重叠连接部)的面积，在该连接部抑制扩散层阻抗增大的同时，谋求存储单元的精细化。(解决课题的方法)为了达成上述目的，本专利技术，将半导体装置构成为除去形成在彼特线扩散层上的彼特线绝缘膜中与连接扩散层相邻一侧的端部。具体地讲，本专利技术的半导体装置，包括形成在半导体区域的上部的，分别沿行的方向延伸的复数层彼特线扩散层、在各彼特线扩散层上分别形成的复数层彼特线绝缘膜、在半导体区域上相互相邻的各彼特线扩散层之间形成的复数层栅极绝缘膜、以及在半导体区域上分别沿列的方向形成且与各彼特线绝缘膜及各栅极绝缘膜交叉的复数条字线；以各栅极绝缘膜和各字线的交叉部上形成存储单元的半导体装置为对象，在半导体区域的上部，形成了具有与各彼特线扩散层分别电连接的连接部的复数层连接扩散层，半导体区域上的各连接部的上表面比各连接扩散层的上表面低为特征。根据本专利技术的半导体装置，在半导体区域的上部，形成了具有与各彼特线扩散层分别电连接的连接部的复数层连接扩散层，半导体区域的各连接部的上表面比各连接扩散层的上表面低。也就是，在各彼特线扩散层上形成的彼特线绝缘膜中与连接扩散层的连接部上侧部分被除去。由此，在各连接扩散层连接部和各彼特线扩散层端部的连接面积可以不用热扩散而扩大。由此，不会增大彼特线扩散层而充分地确保连接部的面积，就可抑制该连接部的扩散层的阻抗，所以，就能够精细化存储单元。本专利技术的半导体装置中，各连接部，最好的是由各连接扩散层的端部和各彼特线扩散层的端部相互重叠形成。本专利技术的半导体装置中，各连接扩散层的至少一部分及各连接部的至少一部分上形成了金属硅化物层，金属硅化物层中各连接部的上侧面，最好的是比各连接扩散层的上侧面低。本专利技术的半导体装置中，连接扩散层的扩散深度，最好的是比彼特线扩散层的扩散深度深。本专利技术的半导体装置中，复数条字线中与各连接部相邻的字线，是不参与工作的空字线，各连接部，最好的是在半导体区域中延伸到空字线下方的一部分。这种情况下，最好的是空字线的宽度比各字线的宽度大。还有，本专利技术的半导体装置，最好的是还包括形成在连接扩散层上的彼特线接触点。本专利技术的半导体装置的制造方法，包括形成在半导体区域的上部的，分别沿行的方向延伸的复数层彼特线扩散层、在各彼特线扩散层上分别形成的复数层彼特线绝缘膜、在半导体区域上相互相邻的各彼特线扩散层之间形成的复数层栅极绝缘膜、以及在半导体区域上分别沿列的方向形成且与各彼特线绝缘膜及各栅极绝缘膜交叉的复数条字线；以各栅极绝缘膜和各字线的交叉部上形成存储单元的半导体装置为对象，以包括在半导体区域的上部，形成分别沿行的方向延伸的复数层彼特线扩散层的工序(a)，在复数层彼特线扩散层上分别形成彼特线绝缘膜的工序(b)，在半导体区域上，形成与各彼特线扩散层及各彼特线绝缘膜交叉的沿列的方向延伸的复数条字线的工序(c)，在各彼特线绝缘膜中一侧端部和与该端部相邻的各字线之间的区域至少是通过除去包含彼特线绝缘膜端部的区域，形成分别露出各彼特线扩散层一侧端部的露出区域的工序(d)，通过选择形成半导体区域上沿行的方向延伸的复数层扩散层，在包含各露出区域的区域形成连接部的同时，形成由该连接部与各彼特线扩散层电连接的连接扩散层的工序(e)为特征。根据本专利技术的半导体装置的制造方法，通过除去在各彼特线绝缘膜的一侧端部和与该端部相邻的各字线之间的区域中至少包含各彼特线扩散层端部的区域，形成露出各彼特线扩散层一侧端部的露出区域，其后，通过有选择地形成半导体区域上的行的方向延伸的复数层扩散层，在包含各露出区域的区域形成连接部的同时，形成由该连接部与各彼特线扩散层电连接的连接扩散层。为此，在各连接扩散层连接部和各彼特线扩散层端部的连接面积可以不用热扩散而扩大。由此，在各连接扩散层连接部和各彼特线扩散层端部的连接面积可以不用热扩散而扩大，不会增大彼特线扩散层而充分地确保连接部的面积，就可抑制该连接部的扩散层的阻抗，所以，就能够精细化存储单元。半导体装置的制造方法中，半导体区域是由硅形成，在工序(e)之后，最好的是还包括，在连接部的至少一部分上，将连接部形成由金属硅化的金属硅化物层的工序(f)。半导体装置的制造方法，最好的是，在工程(e)中，将连接扩散层的扩散深度形成为比彼特线扩散层的扩散深度深的形式。半导体装置的制造方法，最好的是，在工序(c)中，复数条字线中与各连接部相邻的字线，是不参与工作的空字线，在工序(e)中，是将各连接扩散层形成为各连接部在半导体区域中延伸到空字线下方的一部分的形式。半导体装置的制造方法，最好的是，在工序(c)中，将空字线的宽度形成为比各字线的宽度大的形式。半导体装置的制造方法，最好的是，在工序(e)之后，还包括形成包含复数层连接扩散层及复数条字线的半导体区域上的层间绝缘膜的工序(g)，和在层间绝缘膜上，形成与各连接扩散层电连接的彼特线接触点的工序(h)。-专利技术的效果-根据本专利技术所涉及的，可以使彼特线扩散层和连接扩散层的相互连接部不由热扩散而扩大，就可以容易地实现存储单元的精细化。附图说明图1(a)至图1(c)，表示本专利技术的第一实施方式所涉及的半导体装置。图1(a)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：形成在半导体区域上的，分别沿行的方向延伸的复数层彼特线扩散层、在上述各彼特线扩散层上分别形成的复数层彼特线绝缘膜、在上述半导体区域上相互相邻的上述各彼特线扩散层之间形成的复数层栅极绝缘膜、以及在上述半导体区域上分别沿列的方向形成且与上述各彼特线绝缘膜及各栅极绝缘膜交叉的复数条字线；并且在上述各栅极绝缘膜和上述各字线的交叉部上形成存储单元，其特征为：在上述半导体区域的上部，形成了具有分别与上述各彼特线扩散层电连接的连接部的复数层连接扩散层，上述半导体区域上的上述各连接部的上表面，比上述各连接扩散层的上表面低。

【技术特征摘要】
JP 2005-4-22 2005-1246571.一种半导体装置，包括形成在半导体区域上的，分别沿行的方向延伸的复数层彼特线扩散层、在上述各彼特线扩散层上分别形成的复数层彼特线绝缘膜、在上述半导体区域上相互相邻的上述各彼特线扩散层之间形成的复数层栅极绝缘膜、以及在上述半导体区域上分别沿列的方向形成且与上述各彼特线绝缘膜及各栅极绝缘膜交叉的复数条字线；并且在上述各栅极绝缘膜和上述各字线的交叉部上形成存储单元，其特征为在上述半导体区域的上部，形成了具有分别与上述各彼特线扩散层电连接的连接部的复数层连接扩散层，上述半导体区域上的上述各连接部的上表面，比上述各连接扩散层的上表面低。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征为上述各连接部，通过上述各连接扩散层的端部和上述各彼特线扩散层的端部相互重叠形成。3.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征为上述各连接扩散层中的至少一部分及上述各连接部中的至少一部分上形成了金属硅化物层，上述金属硅化物层中上述各连接部的上侧面，比上述各连接扩散层的上侧面低。4.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征为上述连接扩散层的扩散深度，比上述彼特线扩散层的扩散深度深。5.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征为上述复数条字线中与上述各连接部相邻的字线，是不参与工作的空字线，上述各连接部，在上述半导体区域中延伸到上述空字线下方的一部分。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征为上述空字线的宽度比上述各字线的宽度大。7.根据权利要求1或者2所述的半导体装置，其特征为还包括形成在上述连接扩散层上的彼特线接触点。8.一种半导体装置的制造方法，包括形成在半导体区域上的，分别沿行的方向延伸的复数层彼特线扩散层、在上述各彼特线扩散层上分别形成的复数层彼特线绝缘膜、在上述半导体区域上相互相邻的上述各彼特线扩散层之间形成的复数层栅极绝缘膜、以及在上述半导体区域上分别沿列的方向形成且与上述各彼特...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥信义，野吕文彦，佐藤健治，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]