【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置和半导体装置的制造方法、半导体装置制造用模具和半导体装置，特别是涉及具有芯片尺寸封装构造的半导体装置。
技术介绍
近些年来，随着对电子机器和装置的小型化的要求，人们正在谋求半导体装置的小型化和高密度化。因此，采用使半导体装置的形状极力接近半导体器件(芯片)的办法来谋求小型化。提出了所谓芯片尺寸封装构造的半导体装置的方案。此外，当因高密度化而使之多管脚化且使半导体装置小型化时，则外部连接端子的步距将会变窄。为此，作为可以节省空间地形成比较多的外部连接端子的构造，进行了把突出电极用作外部端子的工作。图1(A)示出了在现有的裸片(倒装芯片)装配中所用的半导体装置的一个例子。示于同图的半导体装置1，粗分起来，由半导体器件2(半导体芯片)和多个突出电极4等构成。在半导体器件2的下表面上，例如，矩阵状地形成了多个将成为外部端子的突出电极4。该突出电极4由于是用焊锡等的软金属形成的电极，所以易于受损伤，因而难于实施装卸和测试。同样，半导体器件2由于也是裸露芯片状态，因而易于受损伤，因此和突出电极4一样难于实施装卸和测试。此外，要想把上述的半导体装置1...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征是具备：在表面上形成有突出电极的半导体器件；在半导体器件的表面上形成的剩下上述突出电极的顶端部分来密封上述突出电极的树脂层；以及上述半导体器件的定位突起，上述突起形成在上述半导体器件的上述表面上 ，并具有从上述树脂层暴露的顶端部分。
【技术特征摘要】
JP 1996-7-12 183844/1996;JP 1996-10-18 276634/19961.一种半导体装置，其特征是具备在表面上形成有突出电极的半导体器件；在半导体器件的表面上形成的剩下上述突出电极的顶端部分来密封上述突出电极的树脂层；以及上述半导体器件的定位突起，上述突起形成在上述半导体器件的上述表面上，并具有从上述树脂层暴露的顶端部分。2.权利要求1所述的半导体装置，其特征是上述树脂层和上述半导体器件具有...
【专利技术属性】
技术研发人员：深泽则雄，川原登志实，森冈宗知，大泽满洋，松木浩久，小野寺正德，河西纯一，丸山茂幸，竹中正司，新间康弘，佐久间正夫，铃木义美，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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