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本发明提供了一种半导体装置，其特征是具备：在表面上形成有突出电极的半导体器件；在半导体器件的表面上形成的剩下上述突出电极的顶端部分来密封上述突出电极的树脂层；以及上述半导体器件的定位突起，上述突起形成在上述半导体器件的上述表面上，并具有从上...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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