多芯片结构制造技术

本发明专利技术公开了一种多芯片结构，其至少包括第一芯片、第二芯片与第一导热层。第一芯片具有第一表面及多个第一衬垫，这些第一衬垫配置于第一表面上。第二芯片具有第二表面及多个第二衬垫，这些第二衬垫配置于第二表面上，而第二表面朝向第一表面。第一导热层介于第一芯片及第二芯片之间，第一导热层具有导热区、多个第一电连接元件与多个第一介电区。第一电连接元件设于第一导热层内，且用于使第一表面电连接至第二表面。这些第一介电区围绕这些第一电连接元件，且这些第一电连接元件通过这些第一介电区而与导热区电绝缘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多芯片结构，且特别涉及一种散热(heat dissipation)佳的多芯片结构。
技术介绍
随着电子科技不断地演进，集成电路(integrated circuit，IC)发展的趋势皆朝向高集成度(integration)、高密度、小体积的方向而前进，以创造出轻、薄、短、小的电子产品。在半导体封装的技术上，开发高密度的封装结构(package structure)一直是长久以来的目标，而多芯片封装结构即是其中一例。据此，如何提升高密度封装结构的散热效率逐渐成为关注的焦点之一。请参考图1，其是现有的一种封装结构的立体示意图。现有封装结构100已于美国专利申请第2004/0173898号中揭示，现有封装结构100包括芯片110、基板(substrate)120、多条焊线(bonding wire)130与金属板(metal sheet)140。芯片110通过这些焊线130与基板120电连接，而金属板140配置于芯片110与基板120之间。当芯片110运作而发热时，金属板140可将热传递至外界环境中。然而，由于金属板140配置于芯片110与基板120之间，因此封装结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多芯片结构，其至少包括：第一芯片，具有第一表面及多个第一衬垫，其中该多个第一衬垫配置于该第一表面上；第二芯片，具有第二表面及多个第二衬垫，其中该多个第二衬垫配置于该第二表面上，而该第二表面朝向该第一表面；以及第一 导热层，介于该第一芯片及该第二芯片之间，其中第一导热层具有：导热区；多个第一电连接元件，其中该第一电连接元件设于该第一导热层内，且用于使该第一表面电连接至该第二表面；以及多个第一介电区，其中该多个第一介电区围绕该多个 第一电连接元件，且该多个第一电连接元件通过该多个第一介电区而与该导热区电...

【技术特征摘要】
1.一种多芯片结构，其至少包括第一芯片，具有第一表面及多个第一衬垫，其中该多个第一衬垫配置于该第一表面上；第二芯片，具有第二表面及多个第二衬垫，其中该多个第二衬垫配置于该第二表面上，而该第二表面朝向该第一表面；以及第一导热层，介于该第一芯片及该第二芯片之间，其中第一导热层具有导热区；多个第一电连接元件，其中该第一电连接元件设于该第一导热层内，且用于使该第一表面电连接至该第二表面；以及多个第一介电区，其中该多个第一介电区围绕该多个第一电连接元件，且该多个第一电连接元件通过该多个第一介电区而与该导热区电绝缘。2.如权利要求1所述的多芯片结构，其中该多个第一衬垫包括多个第一信号衬垫，且该多个第二衬垫包括多个第二信号衬垫。3.如权利要求2所述的多芯片结构，其中该多个第一信号衬垫通过该多个第一电连接元件而电连接至该多个第二信号衬垫。4.如权利要求1所述的多芯片结构，其中该多个第一衬垫包括多个第一非信号衬垫，且该多个第二衬垫包...

【专利技术属性】
技术研发人员：许志行，
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]