薄膜晶体管及包含此薄膜晶体管的显示器制造技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及包含此薄膜晶体管的显示器。该薄膜晶体管包括栅极，形成在基板上、绝缘层，形成在该基板上并覆盖该栅极、半导体层，形成在该绝缘层上、以及源极与漏极，形成在该半导体层上，该源极与该漏极之间具有间隔，且该源极与该漏极的至少之一，未延伸至该栅极正上方的区域内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构，特别是涉及一种薄膜晶体管及包含此薄膜晶体管的显示器。
技术介绍
在面板制造过程中，很容易有静电放电(ESD)的情形发生，这对元件与电路会造成极大损害，所以在面板设计时，常在面板最外围加设静电放电防护元件及电路，以降低制造工艺中静电放电的影响。“坚固耐用(robust)”的静电放电元件是必要的，然而，生产过程中仍不时见到被静电放电损害的静电放电防护元件，一旦静电放电防护元件被损毁，即无法有效保护内部像素电路。其次，好的静电放电防护元件必须具备“穿透(transparency)”的特性，即在正常条件操作下，静电放电防护元件必须是关闭且不工作的，若关闭特性不良即会有额外漏电流及功率的损耗，此种情形特别不允许在可携式的电子产品上出现，例如手机或PDA等。针对静电放电防护元件的“穿透(transparency)”特性，美国专利第6,081,307及6,175,394号提出浮动栅极式(floating gate)的薄膜晶体管结构，其与二极管式(diode-type)的薄膜晶体管结构相比，静电放电防护元件的起始电压较大，而漏电流及所占面积较小。目前，这两种薄膜晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：栅极，形成在基板上；绝缘层，形成在所述基板上并覆盖所述栅极；半导体层，形成在所述绝缘层上；以及源极与漏极，形成在所述半导体层上，所述源极与所述漏极之间具有间隔，且所述源极与所述漏极的至少 之一，未延伸至所述栅极正上方的区域内。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括栅极，形成在基板上；绝缘层，形成在所述基板上并覆盖所述栅极；半导体层，形成在所述绝缘层上；以及源极与漏极，形成在所述半导体层上，所述源极与所述漏极之间具有间隔，且所述源极与所述漏极的至少之一，未延伸至所述栅极正上方的区域内。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层包括沟道层与欧姆接触层，所述欧姆接触层分别接触所述源极与所述漏极。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述源极与所述漏极之间的所述沟道层定义为沟道区。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述沟道区的长度大约介于4～12微米。5.如权利要求2所述的薄膜晶体管，还包括蚀刻终止层，设置在所述沟道层与所述欧姆接触层之间。6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述源/漏极与所述栅极间形成有压舱电阻。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其中所述压舱电阻大于5MΩ。8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中未延伸至所述栅极正上方区域内的所述源极或漏极，与所述栅极的水平距离大约介于0～2微米。9.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括二极管式薄膜晶体管或浮动栅极薄膜晶体管。10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述二极管式薄膜晶体管的起始电压大约介于20～40伏特。11.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其中所述浮动栅极薄膜晶体管的起始电压大约介于60～100伏特。12.一种薄膜晶体管，包括栅极，形成在基板上；绝缘层，形成在所述基板上并覆盖于所述栅极；半导体层，形成在所述绝缘层上；以及源极与漏极，形成在所述半导体层上，所述源极与所述漏极之间具有间隔，且所述源极与所述漏极的至少之一，延伸至所述栅极正上方的区域内。13.如权利要求12所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层包括沟道层与欧姆接触层，所述欧姆接触层分别接触所述源极与所述漏极。14.如权利要求13所述的薄膜晶体管，其中所述源极与所述漏极之间的所述沟道层定义为沟道区。15.如权利要求14所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林友民，甘丰源，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]