画素结构制造技术

一种画素结构，适于由基板上的扫瞄线与数据线而控制，此画素结构包括薄膜晶体管与画素电极。薄膜晶体管包括第一介电层、半导体层、奥姆接触层、源极与汲极以及第二介电层。第一介电层覆盖扫瞄线，而半导体层配置于扫描线上方的第一介电层上。半导体层具有主体以及与主体连接的至少一延伸部，且延伸部自位于源极与汲极之间的主体边缘突出。奥姆接触层配置于部份的主体上。源极与汲极配置于奥姆接触层上，而源极与数据线电性连接。第二介电层覆盖源极与部分汲极。画素电极与薄膜晶体管的汲极电性相连。因此，此画素结构能够降低漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种画素结构，且特别是有关于一种应用于薄膜晶体管液晶显示器的画素结构。
技术介绍
自从第一台以阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)为工作模式的黑白电视机专利技术以来，显示技术便以飞快的速度不断演进。然而，由于以阴极射线管制造的显示器具有体积大、重量重、辐射量高及画质较差等缺点，因此新的平面显示技术便不断被开发出。在这些平面显示技术中，又以具有轻薄短小、省电、低辐射、全彩及方便携带等优点的液晶显示器(LiquidCrystal Display，LCD)技术最为纯熟且普及化。举凡手机、数码相机、数码摄影机、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、笔记型计算机、液晶电视等都有其应用范围。由于液晶显示器逐渐发展朝向高分辨率(High Resolution)发展，然而在液晶显示面板制造过程中，在液晶显示面板上难免会形成一些瑕疵(defect)，而这些瑕疵将造成影像质量下降。以下就薄膜晶体管液晶显示器为例进行说明。图1A显示为公知一种画素结构的俯视图，而图1B显示沿图1A中的A-A’线的剖面图。请共同参照图1A与图1B本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种画素结构，适于由一基板上的一扫瞄线与一数据线控制，该画素结构包括：一薄膜晶体管，包括：一第一介电层，覆盖住该扫瞄线；一半导体层，至少配置于该扫瞄线上方的该第一介电层上，且该半导体层包括一主体与至少一延伸部，其中该 延伸部与该主体连接；一奥姆接触层，配置于部分该主体上；一源极与一汲极，配置于该奥姆接触层上，该源极与该数据线电性连接，且该半导体层的该延伸部自该汲极与该源极之间的该主体边缘突出；一第二介电层，覆盖住该源极与部分该汲极 ；以及一画素电极，与该薄膜晶体管的该汲极电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种画素结构，适于由一基板上的一扫瞄线与一数据线控制，该画素结构包括一薄膜晶体管，包括一第一介电层，覆盖住该扫瞄线；一半导体层，至少配置于该扫瞄线上方的该第一介电层上，且该半导体层包括一主体与至少一延伸部，其中该延伸部与该主体连接；一奥姆接触层，配置于部分该主体上；一源极与一汲极，配置于该奥姆接触层上，该源极与该数据线电性连接，且该半导体层的该延伸部自该汲极与该源极之间的该主体边缘突出；一第二介电层，覆盖住该源极与部分该汲极；以及一画素电极，与该薄膜晶体管的该汲极电性连接。2.如权利要求1所述的画素结构，其中该延伸部的延伸方向与该扫瞄线的延伸方向平行。3.如权利要求1所述的画素结构，其中该源极具有一缺口，且部分该汲极位于该缺口内。4.如权利要求3所述的画素结构，其中该延伸部的延伸方向与该扫瞄线的延伸方向平行。5.如权利要求1所述的画素结构，其中该半导体层的部分该主体位于该数据线下方，且该半导体层的该延伸部自该汲极与该数据线之间的该主体边缘突出。6.如权利要求1所述的画素结构，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：江佳铭，任坚志，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]