深沟道器件的刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种深沟道器件的刻蚀方法，包括以下步骤：第一步是用等离子态的气体对腔体进行自清洗；第二步是用等离子态的气体去除自然氧化膜；第三步是用等离子态的气体刻蚀基板。采用本发明专利技术的刻蚀方法，既能实现对腔体进行自清洗，保证腔体环境的清洁，又不对器件产生影响，可以提高深沟道器件刻蚀的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件的工艺方法，尤其涉及一种。
技术介绍
在POWER MOS(功率金属氧化物半导体器件)的制作过程中，需要对基板刻蚀较深的沟道(＞10000A)，通用的干法刻蚀方法使用四氟化碳(CF4)，溴化氢(HBr)，氯气(CL2)，氧气(O2)四种气体，主要分两步首先沟道在刻蚀之前，前工程会把要刻沟道的位置开出来，不需要刻蚀的地方用氧化膜盖住，然后用等离子态的刻蚀气体进行刻蚀，如图1和图2所示。第二步主要是用等离子态的氧气(O2)+四氟化碳(CF4)+氩气(Ar)对腔体进行自清洗，以去除腔体内的生成物。其中，自清洗用来稳定腔体氛围，保证工艺稳定性。然而，事实上在第一步完成后，整个刻蚀过程其实已经完毕，沟道的形状都已经形成，而此时硅片还在腔体内，所以第二步的自清洗除了腔体外，不可避免的还会作用在硅片上面，此时硅片周围充满了等离子态的氧气(O2)、四氟化碳(CF4)和氩气(Ar)(如图3所示)，会在沟道表面形成很薄一层生成物膜，且会使表面变得粗糙(如图4所示)。对器件的形状以及硅片表面产生影响，到最后影响整个器件的电学参数。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深沟道器件的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步是用等离子态的气体对腔体进行自清洗；第二步是用等离子态的气体去除自然氧化膜；第三步是用等离子态的气体刻蚀基板。

【技术特征摘要】
1.一种深沟道器件的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤第一步是用等离子态的气体对腔体进行自清洗；第二步是用等离子态的气体去除自然氧化膜；第三步是用等离子态的气体刻蚀基板。2.如权利要求1所述的深沟道器件的刻蚀方法，其特征在于，第一步中所述的等离子态的气体是氧气+四氟化碳+氩气。3.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王奎，吴志丹，李虹，潘周君，虞颖，吉黎，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]