【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，是具有背面电极的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：准备具备表面和背面的半导体晶片的工序；在该半导体晶片的背面形成第１金属层，通过热处理在该半导体晶片和该第１金属层之间形成欧姆连接的热处理工序； 在该热处理工序后，在该半导体基板的背面上形成Ｎｉ组成的第２金属层的工序。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：松村民雄，辻野忠，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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