【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体元件的制作方法，且特别是涉及一种薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的制作方法。
技术介绍
使用低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-silicon Thin FilmTransistor，LTPS-TFT)的液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的优点在于其厚度薄、重量轻、分辨率佳，特别适合应用于要求轻巧省电的移动终端产品上。然而，低温多晶硅薄膜晶体管仍会产生漏电流。因此，通常会在低温多晶硅薄膜晶体管中的源极/漏极区与沟道区之间形成浅掺杂源极/漏极区，或简称为浅掺杂漏极区(Lightly Doped Drain，LDD)以降低漏电流。图1A～图1C示出了公知一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法的步骤流程剖面示意图。请参照图1A，首先，在基板110上形成图案化多晶硅层120。在此步骤中会使用第一道掩模(未示出)，进而以制作此图案化多晶硅层120。然后，请参照图1B，在基板110上形成栅极介电层130以及图案化光刻胶层140。在此步骤中会使用第二道掩模(未示出)...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在一基板上形成一图案化多晶硅层；在该基板与该图案化多晶硅层上形成一栅极介电层；在该栅极介电层上依序形成一第一栅极材料层、一第二栅极材料层与一牺牲层；在该牺牲层上形成 一图案化光刻胶层；以该图案化光刻胶层为掩模对该牺牲层进行一等向性蚀刻工序，而形成一图案化牺牲层，使该图案化牺牲层略小于该图案化光刻胶层；以该图案化光刻胶层为掩模对该第二栅极材料层与该第一栅极材料层进行一第一非等向性蚀刻工序； 以该图案化光刻胶层为掩模，进行一第一掺杂工序，以于该...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括在一基板上形成一图案化多晶硅层；在该基板与该图案化多晶硅层上形成一栅极介电层；在该栅极介电层上依序形成一第一栅极材料层、一第二栅极材料层与一牺牲层；在该牺牲层上形成一图案化光刻胶层；以该图案化光刻胶层为掩模对该牺牲层进行一等向性蚀刻工序，而形成一图案化牺牲层，使该图案化牺牲层略小于该图案化光刻胶层；以该图案化光刻胶层为掩模对该第二栅极材料层与该第一栅极材料层进行一第一非等向性蚀刻工序；以该图案化光刻胶层为掩模，进行一第一掺杂工序，以于该图案化多晶硅层的两侧形成源极/漏极区，而该源极漏极区之间为一沟道区；移除该图案化光刻胶层；以该图案化牺牲层为掩模对剩余的该第二栅极材料层与该第一栅极材料层进行一第二非等向性蚀刻工序；以该图案化牺牲层为掩模，进行一第二掺杂工序，以在该图案化多晶硅层中形成浅掺杂源极/漏极区，而该浅掺杂源极/漏极区分别位于该沟道区与该源极/漏极区之间；以及移除该图案化牺牲层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该第一栅极材料层的材料选自钼、钨、钼钨合金、铬、钽、及铜所组成的群组之一。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该第二栅极材料层的材料选自钛、钨、铬、及钽所组成的群组之一。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该牺牲层的材料选自铝、铬、及铝钕合金所组成的群组之一。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该第一栅极材料层的厚度包括介于1,000埃到3,000埃之间。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该第二栅极材料层的厚度包括介于400埃～600埃之间。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，而该牺牲层的厚度包括介于4,000埃～8,000埃之间。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该等向性蚀刻工序包括湿式蚀刻工艺。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该湿式蚀刻工艺所使用的蚀刻液是选自于磷酸、醋酸、硝酸及其组合。10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，进行该等向性蚀刻工序之前，还包括以该图案化光刻胶层为掩模，进行一非等向性蚀刻工序。...
【专利技术属性】
技术研发人员：丘大维，陈昱丞，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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