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本发明公开了一种薄膜晶体管及半导体元件的制作方法。首先，在基板上形成图案化多晶硅层与用其覆盖的栅极介电层。在栅极介电层上依序形成第一、第二栅极材料层及牺牲层。在牺牲层上形成图案化光刻胶层。以图案化光刻胶层为掩模，对牺牲层进行等向性蚀刻而形成...
该专利属于友达光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过友达光电股份有限公司授权不得商用。

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