半导体集成电路器件及其检测方法、半导体晶片、以及老化检测设备技术

在对晶片进行晶片测试时或在晶片测试之后，对于合格品在其端子以外的芯片表面上附加保护膜。对于不合格品在包括其端子的整个芯片表面上附加保护膜，在这种状态下进行老化检测，能切断对老化工序之前被确定为不合格的芯片的电源供给和信号施加。另外，为了判断芯片是否为合格品还内置有自检电路，在芯片内部设置当判断为不合格品时停止芯片内部动作的功能或者将判断信号传送至老化检测设备，并由老化检测设备停止电源供给和信号施加，由此能切断对老化工序开始后确定为不合格的芯片的电源供给和信号施加。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及能够对多个半导体集成电路同时进行老化或检测的老化检测方法以及用于该方法的半导体集成电路器件。
技术介绍
近年来，安装有半导体集成电路器件的电子设备的小型化和低价格化的进展显著，与此同时，对半导体集成电路器件的小型化和低价格化的要求也越来越高。而伴随着半导体集成电路的高集成化和高性能化，对半导体集成电路器件(以下，简称为芯片)的检测步骤变得复杂，检测成本的增加成为一个问题。此外，需要通过老化来除去初期不合格品，并且老化所需时间的增加也导致了检测成本的增加，这些都成为问题。通常，用1块检测板(器件)对在晶片上制作的多个芯片区域(以下，仅标记为“芯片”)统一实施老化检测。作为高效进行老化检测的条件可列举出不使不合格芯片混入老化检测工序。当混入了不合格芯片时，由于布线短路和闭锁现象等而导致在不合格芯片内流过大电流而产生电压下降，有可能不能对同一检测板(器件)上的其它合格芯片实施正常的老化检测。并且，有时会损坏合格芯片，情况严重时甚至会破坏检测设备本身。这样，由于混入不合格芯片而导致多余的老化检测成本增加。因此，不使不合格芯片混入老化工序是非常重要的。可以考虑到混入老化检测工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路器件的检测方法，该方法包括：步骤（ａ），在晶片状态下检测半导体芯片是否合格，其中半导体芯片形成在晶片上且制作有具有电极焊盘的集成电路；步骤（ｂ），在由上述步骤（ａ）判断为合格品的上述半导体芯片的除了上述电极焊盘以外的区域上形成第一绝缘保护膜；步骤（ｃ），在由上述步骤（ａ）判断为不合格品的上述半导体芯片的整个上表面上形成第二绝缘保护膜；以及步骤（ｄ），使用老化检测设备进行上述晶片的老化检测。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-9-2 255411/2004;JP 2005-3-2 057831/20051.一种半导体集成电路器件的检测方法，该方法包括步骤(a)，在晶片状态下检测半导体芯片是否合格，其中半导体芯片形成在晶片上且制作有具有电极焊盘的集成电路；步骤(b)，在由上述步骤(a)判断为合格品的上述半导体芯片的除了上述电极焊盘以外的区域上形成第一绝缘保护膜；步骤(c)，在由上述步骤(a)判断为不合格品的上述半导体芯片的整个上表面上形成第二绝缘保护膜；以及步骤(d)，使用老化检测设备进行上述晶片的老化检测。2.一种半导体集成电路器件的检测方法，使用老化检测设备和设置有探针端子且检测时连接在上述老化检测设备上的探针板来进行集成电路的老化检测，其中集成电路设置在形成于晶片上的半导体芯片上且具有自检电路，其特征在于上述检测方法包括步骤(a)，使上述半导体芯片上的输入端子和上述探针端子连接，从上述老化检测设备对上述输入端子施加输入信号，从而对上述集成电路的电特性进行晶片级老化检测，其中，上述步骤(a)包括步骤(a1)，上述自检电路判断设置在上述半导体芯片上的上述集成电路是否合格；和步骤(a2)，当由上述步骤(a1)判断为不合格品时，停止对上述半导体芯片的上述老化检测，而当判断为合格品时，继续对上述半导体芯片的上述老化检测。3.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件的检测方法，其特征在于上述自检电路设置在上述半导体芯片的集成电路内。4.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件的检测方法，其特征在于在上述步骤(a2)中，当由上述步骤(a1)判断为上述半导体芯片不合格时，通过停止上述集成电路内的时钟或切断上述输入信号来停止上述老化检测。5.根据权利要求2所述的半导体集成电路器件的检测方法，其特征在于在上述老化检测设备或上述探针板中，设置有用于控制向上述半导体芯片提供的电源以使其接通或断开的电源控制装置，在上述步骤(a2)中，当由上述步骤(a1)判断为上述半导体芯片不合格时，接收来自上述半导体芯片的输出信号后，上述电源控制装置停止向上述半导体芯片提供的电源。6.根据权利要求5所述的半导体集成电路器件的检测方法，其特征在于上述电源控制装置具有监视上述半导体芯片中流过的电流量的功能，在上述步骤(a)中，当上述半导体芯片中流过规定值以上的电流时，停止对上述半导体芯片的电源供给。7.一种半导体集成电路器件的检测方法，使用老化检测设备和设置有探针端子且检测时连接上述老化检测设备的探针板来进行集成电路的老化检测，其中集成电路设置在形成于晶片上的半导体芯片上且具有自检电路和FAIL数计数电路，其特征在于上述检测方法包括步骤(a)，使上述半导体芯片上的输入端子和上述探针端子连接，通过从上述老化检测设备对上述输入端子施加输入信号，对上述集成电路的电特性进行晶片级老化检测，其中，上述步骤(a)包括步骤(a1)，上述自检电路判断设置在上述半导体芯片上的上述集成电路是否合格；步骤(a2)，上述FAIL数计数电路对由上述步骤(a1)判断为上述半导体芯片不合格的次数进行计数，当计数值在预定值以下时，判断上述半导体芯片为合格品，而当计数值超过预定值时，判断上述半导体芯片为不合格品；以及步骤(a3)，停止对由上述步骤(a2)判断为不合格品的上述半导体芯片的上述老化检测。8.一种半导体集成电路器件的检测方法，使用老化检测设备和设置有探针端子且检测时连接上述老化检测设备的探针板来进行集成电路的老化检测，其中集成电路设置在形成于晶片上的半导体芯片上且具有第一自检电路、第二自检电路以及判断电路，其特征在于上述检测方法包括步骤(a)，使上述半导体芯片上的输入端子和上述探针端子连接，通过从上述老化检测设备对上述输入端子施加输入信号，对上述集成电路的电特性进行晶片级老化检测，其中，上述步骤(a)包括步骤(a1)，上述第一自检电路判断设置在上述半导体芯片上的上述集成电路是否合格；步骤(a2)，当由上述步骤(a1)判断为上述半导体芯片不合格时，由上述第二自检电路判断上述半导体芯片是否合格；步骤(a3)，当上述步骤(a1)和上述步骤(a2)都判断为不合格品时，由上述判断电路判断上述半导体芯片为不合格品；以及步骤(a4)，停止对由上述步骤(a3)判断为不合格品的上述半导体芯片的上述老化检测。9.一种半导体集成电路器件的检测方法，使用老化检测设备、探针板和芯片外电路来进行设置在上述半导体芯片上的集成电路的老化检测，其中，上述探针板设置有探针端子且检测时连接上述老化检测设备，上述芯片外电路设置在形成于晶片上的每个半导体芯片上且配置在上述晶片的划片槽上，其特征在于上述检测方法包括步骤(a)，使上述半导体芯片上的输入端子和上述探针端子连接，通过从上述老化检测设备对上述输入端子施加输入信号，对上述集成电...

【专利技术属性】
技术研发人员：石飞贵志，大鸟隆志，田中泰资，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]