【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造电装置的方法，该装置具有主体，该主体带有包括可以在第一相和第二相之间变化的相变材料的电阻器，该电阻器电连接第一导体和第二导体。当相变材料在第一相位时该电阻器可以具有第一电阻，当相变材料在第二相位时具有不同于第一电阻的第二电阻。本专利技术还涉及这种电装置。
技术介绍
US5933365公开了一种方法，其中衬底设置有电接触层32和导电加热层34，都在图1A中示出了。在这些层的上部，气孔46形成到电介质层中，由此露出加热层34。然后电介质层和气孔设置有GeSbTe相变材料的存储器材料层36，这种材料具有相对高电阻的非晶状态和具有相对低电阻的晶体状态。然后相变材料层36的上表面设置有导电加热层38和电接触层40。气孔46内部的存储器材料层的部分可能经受从非晶状态到晶体状态的相转变，以及相反地转变。可以通过从电接触层32和导电加热层34经过气孔46内部的存储器材料层的部分流到导电加热层38和电接触层40的电流引起这种相转变。以这种方式，存储器材料层36的电阻可以在相对高值和相对低值之间变换。已知的制造方法的缺点是，用于在非晶和结晶状态之间切换所需的...
【技术保护点】
一种制造电装置（１００）的方法，该装置具有主体（１０２），该主体具有包括至少在第一相和第二相之间可以变化的相变材料的电阻器，该电阻器是电连接第一导体（１７２、１２０）和第二导体（１０８、１２１）的纳米线（ＮＷ），该方法包括步骤：提供具有第一导体（１７２、１２０）给主体（１０２）；提供纳米线（ＮＷ）给第一导体（１７２、１２０），由此电连接纳米线（ＮＷ）和第一导体（１７２、１２０），以及提供第二导体（１０８、１２１）给纳米线（ＮＷ），由此电连接纳米线（ＮＷ）和第二导体（１０８、１２１）。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2004-9-27 04104687.11.一种制造电装置(100)的方法，该装置具有主体(102)，该主体具有包括至少在第一相和第二相之间可以变化的相变材料的电阻器，该电阻器是电连接第一导体(172、120)和第二导体(108、121)的纳米线(NW)，该方法包括步骤提供具有第一导体(172、120)给主体(102)；提供纳米线(NW)给第一导体(172、120)，由此电连接纳米线(NW)和第一导体(172、120)，以及提供第二导体(108、121)给纳米线(NW)，由此电连接纳米线(NW)和第二导体(108、121)。2.如权利要求1所述的制造电装置(100)的方法，其中提供纳米线(NW)给第一导体的步骤包括步骤提供电介质层(123)给第一导体(172、120)，该电介质层(123)具有露出第一导体的一部分的孔径(124)，以及提供纳米线(NW)给由孔径(124)露出的第一导体的那部分。3.如权利要求2所述的制造电装置(100)的方法，其中向孔径(124)提供纳米线(NW)的步骤包括步骤提供金属微粒(MC)给由孔径(124)露出的第一导体的那部分，以及使用该金属微粒(MC)作为催化剂借助于气体-液体-固体生长方法生长纳米线(NW)。4.如权利要求2所述的制造电装置(100)的方法，其中在平行于纳米线(NW)的主轴方向上，该孔径(124)具有5-100nm的深度，优选5-20nm。5.如权利要求3所述的制造电装置(100)的方法，其中该金属微粒(MC)具有在2和100nm之间的直径，优选在5和50nm之间。6.如权利要求3所述的制造电装置(100)的方法，其中提供金属微粒(MC)给由孔径(124)露出的第一导体的那部分的步骤包括步骤向该孔径(124)提供金属层，以及加热该金属层，由此形成金属微粒(MC)。7.如权利要求1和2所述的制造电装置(100)的方法，其中相变材料包括(In1-xGax)ySb1-y，0≤x≤1，和0≤y≤1。8.如权利要求3所述的制造电装置(100)的方法，其中在借助于气体-液体-固体生长方法生长纳米线的步骤中，降低了生长纳米线的温度。9.一种具有主体(102)的电装置，该主体具有包括在第一相和第二相之间可以变化的相变材料的电阻器，当该相变材料在第一相时该电阻器具有第一电阻，以及当该相变材料在第二相时该电阻器具有不同于第一电阻的第二电阻，该电阻器是电连接第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：EPAM巴克斯，MHR兰克霍尔斯特，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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