计测方法、曝光方法以及器件制造方法技术

本发明专利技术由于向配置于投影光学系统（ＰＬ）的物体面侧的遮光图案（ＭＰ↓［ｎ］）照射光，一边使配置于投影光学系统的像面侧的空间像计测装置的狭缝（２９ｘ、２９ｙ）在与投影光学系统的光轴垂直的面内移动，一边检测通过了投影光学系统及狭缝的光的光强度分布，根据该光强度分布计算与所述投影光学系统的眩光相关的信息，因此可以排除在以往的印相法中所用的涂敷于晶片上的抗蚀剂的影响，可以实现高精度的与眩光相关的信息的计测。另外，由于不需要晶片的显影工序等，因此可以在比印相法更短的时间内进行与眩光相关的信息的计测。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及计测方法及曝光方法，更具体来说，涉及计测与投影光学系统的眩光相关的信息的计测方法、使用该计测方法的曝光方法以及使用该曝光方法的器件制造方法。
技术介绍
在形成半导体元件(集成电路等)、液晶显示元件等电子器件的微细图案时，采用如下的方法，即，将对所要形成的图案以4～5倍左右的比例放大而形成的掩模或母版(reticle，以下总称为“母版”)的图案，使用投影曝光装置缩小转印到晶片等被曝光物体上。投影曝光装置为了应对伴随着半导体元件(集成电路)的高集成化而产生的电路图案的微细化，使其曝光波长向更短波长侧移动。现在，该波长以KrF准分子激光器的248nm及更短波长的ArF准分子激光器的193nm为主流。在投影曝光装置中，伴随着曝光波长的短波长化，由残存于构成投影光学系统的光学构件(透镜、反射镜等)的表面的微小研磨残痕或损伤造成的眩光的光量及因透镜材料的不均匀性而产生的眩光的光量就成为了问题。在该眩光中，有在像面上显现于遮光图案的像的边缘附近的局部眩光(local flare)、和向该局部眩光的外侧扩展的全局眩光(global flare)。特别是，局部眩光因所关注的图案的疏密本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种计测方法，计测与投影光学系统的眩光相关的信息，其特征在于，包括：　　　　向配置于所述投影光学系统的物体面侧的遮光图案照射光，检测通过了所述投影光学系统的光的光强度分布的第一工序；以及　　　　根据在所述第一工序中检测出的所述光强度分布，计算与所述投影光学系统的眩光相关的信息的第二工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-9-30 287178/20041.一种计测方法，计测与投影光学系统的眩光相关的信息，其特征在于，包括向配置于所述投影光学系统的物体面侧的遮光图案照射光，检测通过了所述投影光学系统的光的光强度分布的第一工序；以及根据在所述第一工序中检测出的所述光强度分布，计算与所述投影光学系统的眩光相关的信息的第二工序。2.根据权利要求1所述的计测方法，其特征在于，在所述第一工序中，一边使配置于所述投影光学系统的像面侧的空间像计测器的规定的计测用图案在与所述投影光学系统的光轴垂直的面内移动，一边检测通过了所述投影光学系统及所述计测用图案的所述光的光强度分布。3.根据权利要求1所述的计测方法，其特征在于，所述遮光图案具有在与所述投影光学系统的光轴正交的面内的第一方向延伸的第一部分。4.根据权利要求3所述的计测方法，其特征在于，所述遮光图案还具有在与所述投影光学系统的光轴正交的面内，在与所述第一方向正交的第二方向延伸的第二部分。5.根据权利要求4所述的计测方法，其特征在于，所述遮光图案的所述第一部分和所述第二部分的一部分交叉，形成属于所述第一部分和所述第二部分两者的公共部分。6.根据权利要求4所述的计测方法，其特征在于，在所述空间像计测器的图案板上，与所述第一、第二部分对应地形成有两个计测用图案。7.根据权利要求4所述的计测方法，其特征在于，一边使所述空间像计测器的计测用图案在与所述第一、第二方向分别交叉的方向移动，一边检测所述光强度分布。8.根据权利要求7所述的计测方法，其特征在于，所述空间像计测器与两个计测用图案对应地具有两个传感器。9.根据权利要求8所述的计测方法，其特征在于，所述计测用图案具有不受来自所述遮光图案的长边方向两端侧的眩光的影响的尺寸。10.根据权利要求3所述的计测方法，其特征在于，在所述第二工序中，通过将所述计算出的与眩光相关的信...

【专利技术属性】
技术研发人员：萩原恒幸，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：JP[日本]