【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及离子注入装置和方法，更具体地涉及。
技术介绍
通常，为了制造半导体器件，尤其是半导体存储器器件，例如，动态随机存取存储器(DRAM)，需要多种单元工艺(unit processes)。单元工艺包括堆叠工艺、蚀刻工艺和离子注入工艺，并且通常在晶片上进行。在离子注入工艺中，加速掺杂剂离子，例如，硼和砷，并穿过晶片的表面。通过上述离子注入工艺可以改变材料的电特性。通过沿Y轴方向移动晶片和沿X轴方向扫描离子束并将离子束注入到晶片中实现离子注入到晶片中。在上述离子注入中，以相同的剂量和能量将离子注入到晶片的所有区域中。这对于离子注入工艺是优选的，但是对于其它单元工艺不是优选的。即，作为多种单元工艺的结果，得到的晶片所有区域上膜的厚度和蚀刻程度是不均匀的。原因是不能精确地控制单元工艺的许多参数。因此，由于不希望或不能精确控制的工艺参数而出现工艺误差。例如，表示栅极电极宽度的临界尺寸(在下文中，称为CDs)根据晶片的区域而不同。即，在晶片中心处的栅极电极的CD可能较大，而在晶片边缘栅极电极的CD可能较小。另一方面，在晶片中心处的栅极电极的CD可能较小，而在晶片...
【技术保护点】
一种离子注入装置，包括：产生离子束的离子束源；布置在离子束路径上的注入能量控制器，其控制离子束的离子注入能量，从而为第一时间周期产生具有第一注入能量的离子束，为第二时间周期产生具有第二注入能量的离子束；加速离子束的束 道；以及终端站，其安装有衬底，以使由所述束道加速的离子束能够注入到所述衬底上，并且沿垂直于离子束入射方向的方向移动所述衬底，从而具有所述第一注入能量的离子束注入到所述衬底的第一区域中，具有所述第二注入能量的离子束注入到所述衬底的第二 区域中。
【技术特征摘要】
KR 2006-4-28 38450/061.一种离子注入装置，包括产生离子束的离子束源；布置在离子束路径上的注入能量控制器，其控制离子束的离子注入能量，从而为第一时间周期产生具有第一注入能量的离子束，为第二时间周期产生具有第二注入能量的离子束；加速离子束的束道；以及终端站，其安装有衬底，以使由所述束道加速的离子束能够注入到所述衬底上，并且沿垂直于离子束入射方向的方向移动所述衬底，从而具有所述第一注入能量的离子束注入到所述衬底的第一区域中，具有所述第二注入能量的离子束注入到所述衬底的第二区域中。2.如权利要求1中所述的离子注入装置，其中所述注入能量控制器包括沿离子束路径布置的多个束离子束发生器，每个所述发生器包括布置在离子束路径上的电极和用于开启和关闭所述电极的谐振器。3.如权利要求2中所述的离子注入装置，其中对于所述第一时间周期可以开启所述多个束离子束发生器中的较少数，对于所述第二时间周期可以开启所述多个束离子束发生器中的较多数。4.如权利要求2中所述的离子注入装置，其中所述谐振器通过对所述电极顺序地施加正偏置电流和负偏置电流面开启所述电极。5.如权利要求1中所述的离子注入装置，其中所述终端站包括当离子束注入到所述衬底中时旋转所述衬底的衬底支架。6.一种离子注入装置，包括产生离子束的离子束源；注入能量控制器，用于加速离子束并且布置在所加速的离子束的路径上，所述注入能量控制器构成为控制离子束的离子注入能量，从而为第一时间周期产生具有第...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢俓奉，秦丞佑，李民镛，郑镛洙，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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