【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种半导体元件以及其制造方法，特别地，本专利技术是关于一种半导体发光元件(Semiconductor light emitting device)以及其制造方法。
技术介绍
由于具有寿命长、轻巧、低耗电量以及不含水银等有害物质等优点，半导体发光元件，如发光二极管(Light emitting diode，LED)，已成为一种非常理想的新式照明光源，并且正蓬勃发展。发光二极管应用的市场非常广，包含如，信息、通讯、消费性电子、汽车市场、号志、看板以及照明市场。目前较热门的应用市场主要是通讯产业的手机背光源及按键光源；汽车产业的各种灯饰以及仪表板；以及号志、广告看板以及照明等。请参见图1A以及图1B，图1A是示出一公知半导体发光元件的侧视示意图，而图1B则是示出图1A中的半导体发光元件的顶视示意图。如图1A以及图1B所示，该公知半导体发光元件5包含一多层结构(Multi-layerstructure)51，并且该多层结构的一表面上设置有一电极53，如一P型电极，并且该电极是通过一导线55电连接至相对应的外部电源(未示出于图中)。因为所述公知半导体发光...
【技术保护点】
一种半导体发光元件，该半导体发光元件包含一多层结构，该多层结构的一表面上设置有一电极，该电极包含多个电极焊盘。
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光元件，该半导体发光元件包含一多层结构，该多层结构的一表面上设置有一电极，该电极包含多个电极焊盘。2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该电极为P型电极。3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该电极为N型电极。4.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该多个电极焊盘通过一导体产生电连接。5.如权利要求4所述的半导体发光元件，该导体是一金属。6.如权利要求4所述的半导体发光元件，该导体是一半导体。7.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该多个电极焊盘中每一电极焊盘的面积介于该表面的面积的1％至25％之间。8.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中该多个电极焊盘包含一第一电极焊盘与一第二电极焊盘，该第一电极焊盘与该第二电极焊盘设置于该表面的一对角线上。9.如权利要求1所述的半导体发光元件，还包含多条导线分别对应连接至该多个电极焊盘。10.一种半导体发光元件，该半导体发光元件包含一衬底；一半导体多层结构，该半导体多层结构设置于该衬底上，并且该半导体多...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄国欣，
申请(专利权)人：联胜光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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