【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于有机半导体学中的微细加工领域，特别涉及。
技术介绍
随着信息技术的不断深入，电子产品已经进入人们生活工作的每个环节；在日常生活中人们对低成本、柔性、低重量、便携的电子产品的需求越来越大；传统的基于无机半导体材料的器件和电路很难满足这些要求，因此可以实现这些特性的基于有机聚合物半导体材料的有机微电子技术在这一趋势下得到了人们越来越多的关注。提高有机场效应管的迁移率一直是该领域追求的目标。在研究如何改善有机晶体管性能的过程中人们发现了一个新特性，就是载流子迁移率的各向异性，即当载流子输运方向和薄膜材料的取向相平行时的迁移率远大于互相垂直时的迁移率。目前制备各向异性有机场效应管的方法主要是在介质层上通过沿一定方向擦拭的方法涂附上一层作为诱导物的有机材料，然后沉积生长有机半导体材料，形成各向异性的薄膜。这种方法可控性低，可重复性差，薄膜性能不均匀且容易引入杂质。本专利技术的目的是提供一种各向异性有机场效应管的制备方法，它首先沉积第一层有机半导体薄膜，然后通过压印技术把设计好的图形转移到有机薄膜表面上，再真空沉积第二层有机半导体薄膜，获得具有取向的有机半导...
【技术保护点】
一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法，是由一次绝缘介质沉积，两次有机半导体薄膜沉积，一次压印和一次金属沉积，获得各向异性的有机场效应管，其特征在于，其步骤如下：步骤１、在导电基底上制备绝缘介质层；步骤２、在绝缘介质 层薄膜表面上蒸发沉积第一层有机半导体薄膜；步骤３、利用模板压印有机薄膜，把设计的模板图形转移到第一层有机薄膜上；步骤４、在有图形的第一层有机薄膜表面上蒸发沉积生长第二层同质有机物薄膜；步骤５、通过镂空的掩模版沉积源漏 金属电极，完成各向异性有机场效应管的制备。
【技术特征摘要】
1，一种结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法，是由一次绝缘介质沉积，两次有机半导体薄膜沉积，一次压印和一次金属沉积，获得各向异性的有机场效应管，其特征在于，其步骤如下步骤1、在导电基底上制备绝缘介质层；步骤2、在绝缘介质层薄膜表面上蒸发沉积第一层有机半导体薄膜；步骤3、利用模板压印有机薄膜，把设计的模板图形转移到第一层有机薄膜上；步骤4、在有图形的第一层有机薄膜表面上蒸发沉积生长第二层同质有机物薄膜；步骤5、通过镂空的掩模版沉积源漏金属电极，完成各向异性有机场效应管的制备。2，根据权利要求1所述的结合压印技术制备各向异性有机场效应管的方法，其特征在于，其中所述的导电基底是电阻率较低的导电材料，其目的是作为有机场效应管的栅极。3，根据权利要求1所述的结合压印技术制备各向异性有机场效...
【专利技术属性】
技术研发人员：商立伟，涂德钰，王丛舜，刘明，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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