有机薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种有机薄膜晶体管的制造方法，适用于显示器，传感器，无线射频识别ＲＦＩＤ标签等领域。该有机薄膜晶体管的结构包括：依次在基底（１０１）上制作的栅极（１０２）、栅绝缘层（１０３）、源极（１０４）、漏极（１０５）、表面修饰层（１０６）、有机半导体层（１０７）。其中有机半导体层的制备通过可溶性并五苯衍生物先驱物转化为并五苯薄膜来实现。采用这种方法，有机半导体材料利用溶液进行大面积旋涂、打印，完成柔性衬底的大规模集成电路中有机薄膜晶体管的制作，降低有机薄膜晶体管集成电路的制作成本，同时在源极和漏极上采用硫醇溶液形成表面修饰层进一步保证了有机薄膜晶体管具有高的迁移率，低的漏电流及电路工作电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。适用于显示器，传感器，无线射频识别(RFID)标签等领域。
技术介绍
柔性衬底、低成本、低温制程，使得有机薄膜晶体管(0TFT)可以应用于 大面积的软性电子产品的机会大大提升，同时也能够进行有机集成电路的制作， 并制备在便宜的塑料基底上，形成印刷式电路，替代硅芯片，并且可以通过打 印进行批量生产，使得显示器、传感器、智能卡、无线射频识别(RFID)标签 大规模的推向市场。但目前这些柔性衬底的大规模集成电路的制作过程中，多次采用平版印刷 过程及真空制备过程的步骤(例如PVD、 CVD等)，很难降低器件制备的成本， 为方便以后的商业上采用巻对巻(R2R)大规模进行生产，开始了溶液制备有机 薄膜晶体管的研究，较多采用高分子有机物进行打印及旋涂来降低制作成本， 但很难达到高的迁移率并且稳定性也较差，导致器件性能很难提升。而高迁移 率的并五苯及聚噻吩低聚物又较难溶极不稳定，很难直接用于打印和旋涂来制 备晶体管。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，克服现有的技术瓶颈。本专利技术的技术方案一种，该方法是在基底上，依次制作栅极、栅 绝缘层、源极、漏极、表面修饰层、有机本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机薄膜晶体管的制造方法，该方法是在基底上，依次制作栅极、栅绝缘层、源极、漏极、有机半导体层；其特征是：１）栅绝缘层的制作在栅极上镀２５０纳米厚的二氧化硅作为栅绝缘层；２）在源极和漏极上制作表面修饰层在基底上依次制作栅极、栅绝缘层、源极、漏极后，将其转移到ＤＥＬ多功能高真空系统中，放入２滴２ｗｔ％硫醇溶液，气相沉积于镀好的源极、漏极上，沉积十五分钟，形成表面修饰层；３）在完成２）后，在其上制作有机半导体层其镀膜工序，采用６，１３－取代基的并五苯衍生物ＴＩＰＳ－ｐｅｎｔａｃｅｎｅ［（ｂｉａ（ｔｒｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌｓｉｌｙｌｅｔｈｙｎｙｌ）ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）］其结构式：＊＊＊配制成０．５ｗ...

【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜晶体管的制造方法，该方法是在基底上，依次制作栅极、栅绝缘层、源极、漏极、有机半导体层；其特征是1)栅绝缘层的制作在栅极上镀250纳米厚的二氧化硅作为栅绝缘层；2)在源极和漏极上制作表面修饰层在基底上依次制作栅极、栅绝缘层、源极、漏极后，将其转移到DEL多功能高真空系统中，放入2滴2wt％硫醇溶液，气相沉积于镀好的源极、漏极上，沉积十五分钟，形成表面修饰层；3)在完成2)后，在其上制作有机半导体层其镀膜工序，采用6，13-取代基的并五苯衍生物TIPS-pentacene[(bia(triisopropylsilylethynyl)pentacene)]其结构式id=icf0001 file=S2007101799581C00011.gif wi=68 he=52 top=5 left = 5 img-content=drawing img-format=t...

【专利技术属性】
技术研发人员：田雪雁，徐征，赵谡玲，张福俊，袁广才，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：发明
国别省市：11[]