包含扩散阻挡层的各向异性磁电阻材料制造技术

本发明专利技术涉及一种基于ＮｉＦｅ磁性层的各向异性磁电阻材料。这种薄膜系统是以ＮｉＦｅ作为磁性层，通过在缓冲层与磁性层之间，磁性层与保护层之间添加Ｐｔ作为扩散阻挡层，可以有效抑制高温下缓冲层及保护层材料Ｔａ与ＮｉＦｅ之间的相互扩散。本发明专利技术的制备工艺简单稳定，非常适合实际操作，可应用于磁场传感器系统中。并且，本发明专利技术中添加Ｐｔ作为扩散阻挡层后，对材料的矫顽力基本没有影响，在实际应用中具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁电阻材料，具体涉及基于NiFe磁性层的各向异性磁电阻材料。
技术介绍
各向异性磁电阻(AMR)是指其中电流与磁化强度相对取向改变而导致铁磁金属 电阻率发生变化。由于AMR薄膜具有高的磁场灵敏度，因此被广泛应用于制作各种磁场传 感器。在各种AMR薄膜材料中，NiFe(其中Ni，Fe重量比为80+S : 20-S ， | S |《10)具有较大的磁电阻值，较低的磁晶各向异性能和矫顽力，较小的磁致伸縮效应等，因此成为综 合性能最佳并且应用最广泛的AMR材料。 一般来说，对制备态的AMR薄膜进行高温退火有 利于减小膜内应力，促使晶粒长大，改善结构的完整性，从而提高AMR值。但是AMR材料最 常用的缓冲层及保护层材料Ta经过高温退火以后和NiFe发生相互扩散，将严重破坏磁性 层的AMR性能。 现有技术中，还有人利用NiFeCr合金作为缓冲层来避免扩散，利用NiFeCr合金来 作为缓冲层一般采用合金靶或复合靶两种方式进行加工，但无论利用哪种方式，其工艺均 相对复杂，不利于实际操作。而且，利用NiFeCr合金作为缓冲层所得的磁电阻材料矫顽力 较大，这对其具体应用产生了很本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种各向异性磁电阻材料，包括一基片和基片上依次设置的：缓冲层；第一扩散阻挡层；磁性层；第二扩散阻挡层；保护层；其中，所述第一扩散阻挡层用于阻止所述缓冲层的材料与所述磁性层的材料之间相互扩散，所述第二扩散阻挡层用于阻止所述保护层的材料与所述磁性层的材料之间的相互扩散。

【技术特征摘要】
一种各向异性磁电阻材料，包括一基片和基片上依次设置的缓冲层；第一扩散阻挡层；磁性层；第二扩散阻挡层；保护层；其中，所述第一扩散阻挡层用于阻止所述缓冲层的材料与所述磁性层的材料之间相互扩散，所述第二扩散阻挡层用于阻止所述保护层的材料与所述磁性层的材料之间的相互扩散。2. 如权利要求1所述的各向异性磁电阻材料，其中，所述第一扩散阻挡层、第二扩散阻 挡层的材料为Pt。3. 如权利要求2所述的各向异性磁电阻材料，其中，所述第一扩散阻挡层的厚度在 1. 0-2. 5nm之间。4. 如权利要求2所述的各向异性磁电阻材料，其中，所述第二扩散阻挡层的厚度在 1. 0-2. 5nm之间。5. 如权利要求2所述的各向异性磁电阻材料，其中，所述第一扩散阻挡层、第二扩散阻 挡层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘奕帆，蔡建旺，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]