一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法技术

一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备。本方法是采用磁控溅射方法，通过选取不同成分的Ｎｉ↓［ｘ］Ｆｅ↓［１－ｘ］合金靶，ｘ为７８～８５，以及溅射前通入镀膜室９９．９９％纯度氩气０．５～１小时，维持在气压０．１～０．５Ｐａ，控制薄膜杂质含量小于０．１％，制备出具有准确成分的Ｎｉ↓［８１］Ｆｅ↓［１９］薄膜。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、大的磁化强度和低磁致伸缩等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备。
技术介绍
各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetoresistance，AMR)坡莫合金薄膜(Ni81Fe19)通常选用Ta作为Ni81Fe19薄膜的(111)织构诱导层，亦即种子层，所以，其结构简单、制作相对容易、价廉、稳定性好，在体积、质量及成本上有很大优势，即使在发现了巨磁电阻(Giant Magnetoresistance，GMR)效应并且其产品迅速开发的今天，用传统AMR薄膜制做的磁传感器等器件在市场上仍然占主流。目前，国际上在不断地挖掘AMR薄膜的潜力，提高其磁场灵敏度、降低噪音等，以扩大其应用领域。为了达到这个目的，AMR坡莫合金薄膜必须沉积的更薄，矫顽力更小，且AMR值尽可能大。中国专利技术专利ZL 02 1 03673.X中提出的“一种冷阴极溅射制备薄膜的方法及装置”，虽然可以制备出性能良好的较薄坡莫合金薄膜，然而该方法需要镀膜设备本底真空为2×10-7～8×10-7Pa的超高真空，这在工业生产中是很难达到的，即使达到，代价也很高。《科学通报》，48，418(2003本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，采用磁控溅射方法，溅射室本底真空度为１×１０↑［－５］～６×１０↑［－５］Ｐａ，在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上依次沉积１．０～１２．０ｎｍＴａ、１０．０～２００．０ｎｍＮｉ↓［ｙ］Ｆｅ↓［１－ｙ］和５．０～９．０ｎｍＴａ，其特征在于，选取不同成分的Ｎｉ↓［ｘ］Ｆｅ↓［１－ｘ］合金靶；溅射前通入镀膜室９９．９９％纯度氩气０．５～１小时，维持在气压０．１～０．５Ｐａ；通过对Ｎｉ↓［ｙ］Ｆｅ↓［１－ｙ］化学分析，找出薄膜成分符合８１Ｎｉ∶１９Ｆｅ、并且薄膜杂质含量小于０．１％的情况下所对应的Ｎｉ↓［ｘ］Ｆｅ↓［１－ｘ］合金靶，利用这个选出的坡莫合金靶来沉...

【技术特征摘要】
1.一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，采用磁控溅射方法，溅射室本底真空度为1×10-5～6×10-5Pa，在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上依次沉积1.0～12.0nmTa、10.0～200.0nmNiyFe1-y和5.0～9.0nmTa，其特征在于，选取不同成分的NixFe1-x合金靶；溅射前通入镀膜室99.99％纯度氩气0.5～1...

【专利技术属性】
技术研发人员：于广华，滕蛟，朱逢吾，张辉，王立锦，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]