一种提高有机场效应晶体管性能的方法技术

一种采用氧化性或还原性气体来提高基于有机单晶半导体材料的场效应晶体管性能的方法。本发明专利技术对于空气间隙，底栅极和顶栅极三类器件结构，在相应工艺环节，对有机单晶半导体材料按照报道体类型做气体吸附处理。把基于p-型有机单晶半导体材料的场效应晶体管器件暴露在氧化性气体中提高迁移率等性能；把基于n-型有机单晶半导体材料的场效应晶体管暴露在还原性气体中提高迁移率等性能。可以提高基于有机单晶半导体材料的场效应晶体管的迁移率和开关比等性能，本发明专利技术操作简单、成本低、应用前景广阔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机微电子学领域，具体涉及一种提高有机单晶半导体材料的场效应晶体管性能的方法。技术背景自从19世纪80年代首次发现有机材料具有场效应特性之后，CL Tsumura, H. Koezuka, T. Ando, Appl. Phys. Lett. 1986, 49, 1210)基于有机半导体材料的场效应晶体管广受关注。由于它材料来源广、成膜技术多、低温加工、电学性质容易调制、可与柔性衬底兼容、器件尺寸小、集成度高、适合大批量生产和低成本等突出的优势,有机场效应晶体管具有非常广阔的市场前景。它不仅可以制成大规模互补集成电路(B. Crone,A.Dodabalapur, Y. Y Lin, R. ff. Filas, Z. Bao et al. Nature, 2000, 403,521)、 大面积器件，还可以用于平面显示器的驱动(J. A. Rogers, Z. Bao, K. Baldwin, A. Dodabalapur, B. Crone et al. Proc. Nat1. Acad. Sc1. 2001, 98, 4835)、智能卡、身份识别卡以及气体传感器本文档来自技高网...

【技术保护点】
提高空气间隙结构的有机单晶半导体材料的场效应晶体管性能的方法，参照现有技术制备有机单晶半导体材料及空气间隙场效应晶体管，其特征是：场效应晶体管制备完成后，在腔体内充入相关的气体，其中：p?型半导体通入氧化性气体，即二氧化氮或一氧化氮或二氧化硫，n?型半导体通入还原性酒精气体，使气体吸附到沟道处。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：童艳红，汤庆鑫，塔力哈尔，裴腾飞，
申请(专利权)人：东北师范大学，
类型：发明
国别省市：