光电二极管制造技术

本发明专利技术提供了光电二极管。根据示例实施例的光电二极管包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的本征层。本征层包括P型半导体和N型半导体，在本征层内，P型半导体的重量组成比和N型半导体的重量组成比根据本征层到阳极和阴极之一的距离而改变。

【技术实现步骤摘要】
光电二极管
示例实施例涉及一种包括有机半导体的光电二极管。
技术介绍
包括光电二极管的图像传感器的分辨率变得更高，因此，像素的尺寸变得减小。像素尺寸的减小会导致吸收区域的减小，这又会降低硅光电二极管的灵敏度。因此，与硅相比具有更高消光系数和更高波长选择性的有机半导体正被考虑作为光电二极管的光电材料。包括有机半导体作为光电材料的光电二极管通常具有三层结构，该三层结构包括 P型半导体、本征层和N型半导体。本征层通过共沉积P型半导体和N型半导体而形成。本征层吸收光来产生激子，激子在N型半导体和P型半导体的结合面处被分为空穴和电子。空穴和电子移动到电极以产生电流。然而，上述光电二极管的外量子效率和光响应率不能令人满意。
技术实现思路
根据示例实施例，一种光电二极管可以包括阳极、阴极以及在阳极与阴极之间的本征层。本征层可以包括P型半导体和N型半导体。在本征层内，P型半导体的重量组成比(composition ratio)和N型半导体的重量组成比可以根据位置而改变,这里“P型半导体的重量组成比”指的是P型半导体的重量除以本征层的总重量，“N型半导体的重量组成比”指的是N型半导体的重量除以本征层的总重本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电二极管，包括：阳极；阴极；和在所述阳极与所述阴极之间的本征层，所述本征层包括P型半导体和N型半导体，其中在所述本征层内，所述P型半导体的重量组成比和所述N型半导体的重量组成比根据位置而改变。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴敬培，金奎植，陈勇完，李光熙，林东晳，林宣晶，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：