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一种采用氧化性或还原性气体来提高基于有机单晶半导体材料的场效应晶体管性能的方法。本发明对于空气间隙，底栅极和顶栅极三类器件结构，在相应工艺环节，对有机单晶半导体材料按照报道体类型做气体吸附处理。把基于p-型有机单晶半导体材料的场效应晶体管器...
该专利属于东北师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过东北师范大学授权不得商用。

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