形成半导体器件的方法技术

一种形成半导体器件的方法，包括在目标层上形成第一掩模图形，该第一掩模图形露出目标层的第一部分；形成中间材料层，包括在第一掩模图形的侧面和目标层的第一部分上淀积中间材料层薄膜；以及减薄中间材料层薄膜，以形成中间材料层，形成露出中间材料层的第二部分的第二掩模图形，除去中间材料层的露出第二部分，以露出该目标层，以及使用第一和第二掩模图形作为构图掩模，构图该目标层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。更具体，本专利技术涉及一种形成半导体器件微图形的方法。
技术介绍
高性能和大容量半导体器件的研制取决于使半导体器件的图形小型化的技术。半导体器件的图形的小型化主要取决于光刻工艺。因此，对于形成微图形的光刻工艺的发展进行了广泛的研究。结果，为了形成半导体微图形，研制了各种光刻工艺。例如，光源、步进电机或扫描器和透镜可以被用来有效地缩短光的波长。此外，相对于曝光技术，相移掩模(PSM)工艺、偏轴照明(OAI)工艺和浸渍光刻工艺也被研究和研制。但是，推进这些技术将需要巨大的研究和开发成本。由此，需要一种允许快速容易和稳定形成微图形的工艺。
技术实现思路
因此本专利技术涉及一种，该方法基本上克服由于相关技术的限制和缺点的一个或多个问题。因此本专利技术的实施例的特点是提供一种形成微图形的方法，该方法包括在第一掩模图形上形成中间材料层，和在该中间材料层上形成第二掩模图形。因此本专利技术的实施例的另一特点是提供一种形成微图形的方法，该方法包括形成中间材料图形至预定宽度，该预定宽度对应于被构图为目标层的特征宽度。本专利技术的上述及其他特点的至少一个可以通过提供一种来实现，该方法包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法，包括：在目标层上形成第一掩模图形，该第一掩模图形露出目标层的第一部分；形成中间材料层，包括：在第一掩模图形的侧面和目标层的第一部分上淀积中间材料层薄膜；以及减薄该中间材料层薄膜，以形成中间材料层；形成露出该中间材料层的第二部分的第二掩模图形；除去该中间材料层的露出的第二部分，以露出该目标层；以及使用该第一和第二掩模图形作为构图掩模，构图目标层。

【技术特征摘要】
KR 2006-6-8 10-2006-00513831.一种形成半导体器件的方法，包括在目标层上形成第一掩模图形，该第一掩模图形露出目标层的第一部分；形成中间材料层，包括在第一掩模图形的侧面和目标层的第一部分上淀积中间材料层薄膜；以及减薄该中间材料层薄膜，以形成中间材料层；形成露出该中间材料层的第二部分的第二掩模图形；除去该中间材料层的露出的第二部分，以露出该目标层；以及使用该第一和第二掩模图形作为构图掩模，构图目标层。2.如权利要求1所述的方法，其中该第一和第二掩模图形是光刻胶图形。3.如权利要求1所述的方法，其中该第一和第二掩模图形包括硅。4.如权利要求1所述的方法，其中该中间材料层包括无机材料。5.如权利要求4所述的方法，其中该无机材料层包括氧化硅。6.如权利要求1所述的方法，其中该中间材料层包括不定形碳。7.如权利要求1所述的方法，其中在中间材料层上形成第二掩模图形包括形成覆盖中间材料层的上部和覆盖中间层的掩模层，该中间层覆盖所述第一部分；以及减薄该掩模层，以露出中间材料层的上部。8.如权利要求1所述的方法，还包括在目标层和第一掩模图形之间形成抗反射层。9.如权利要求8所述的方法，其中该抗反射层包括有机材料。10.如权利要求1所述的方法，其中该目标层包括无机硬掩模...

【专利技术属性】
技术研发人员：李斗烈，李昔柱，姜律，赵汉九，姜昌珍，柳在玉，朴省赞，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]