一种晶体硅太阳电池热扩散制备ＰＮ结的方法技术

本发明专利技术提供一种晶体硅太阳电池热扩散制备ＰＮ结的新方法，该方法涉及晶体硅太阳电池技术领域，其步骤包括：在常规晶体硅太阳电池生产工艺过程第（３）步热扩散制备ＰＮ结工艺中增加硅片降温、控制温度和时间等步骤，即硅片离开高温扩散炉前先降温，其方法是使石英管中硅片温度降低２００℃～３００℃。具体步骤如下：ａ．设置热扩散工艺参数制备ＰＮ结；ｂ．对石英管中硅片降温，使硅片温度比扩散温度低２００℃～３００℃，降温时间为（１０～６０）分钟；ｃ．从石英管中取出硅片。采用上述新方法，能降低晶体硅热损伤，减小热应力弯曲或碎裂，减少空气中杂质对ＰＮ结的影响，提高晶体硅太阳电池的电流、电压、功率及光电转换效率，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体硅太阳电池
，具体的说，是一种晶体硅太阳电池热扩散制备PN结的新方法。
技术介绍
目前，晶体硅太阳电池工业化生产通行的工艺路线是采用(1)硅片清洗、(2)清除硅片损伤层及制备绒面、(3)热扩散制备PN结、(4)清除硅片周边PN结、(5)清除硅片光照面的氧化层、(6)制备减反射膜、(7)丝网印刷背电极银浆，背电场铝浆及正面电极银浆、(8)铝背场烧结及银电极合金、(9)测试检验。在热扩散制备PN结实际工作中，一般采用高温热扩散，但是高温会导致晶体硅热损伤，高温硅片出炉离开石英管时巨大温差会导致热应力弯曲或碎裂，高温硅片出炉遇到空气中杂质会影响PN结质量，这一切都会影响晶体硅太阳电池的电流、电压、功率及光电转换效率。
技术实现思路
本专利技术提供一种晶体硅太阳电池热扩散制备PN结的新方法，该方法能降低晶体硅热损伤，减小热应力弯曲或碎裂，减少空气中杂质对PN结的影响，提高晶体硅太阳电池的电流、电压、功率及光电转换效率，降低生产成本。本专利技术是这样实现的，在常规晶体硅太阳电池生产工艺(1)硅片清洗、(2)清除硅片损伤层及制备绒面、(3)热扩散制备PN结、(4)清除硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳电池热扩散制备ＰＮ结的方法，扩散工艺参数包括扩散温度、扩散时间及气体流量等，其特征在于，所述的热扩散制备ＰＮ结，包括以下工艺步骤：ａ、设置热扩散工艺参数制备ＰＮ结；ｂ、对石英管中硅片降温，使硅片温度比扩散温度低２００℃～３００℃，降温时间为（１０～６０）分钟；ｃ、从石英管中取出硅片。

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅太阳电池热扩散制备PN结的方法，扩散工艺参数包括扩散温度、扩散时间及气体流量等，其特征在于，所述的热扩散制备PN结，包括以下工艺步骤a、设置热扩散工艺参数制备PN结；b、对石英管中硅片降温，使硅片温度比扩散温度低200℃～300℃，降温时间为(10～60)分钟；c、从石英管中取出...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐则祁，
申请(专利权)人：唐则祁，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]