一种制造太阳能电池的磷扩散方法技术

本发明专利技术公开了一种制造太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）将待处理的单晶硅片在９００～９５０℃氮气气氛下进行退火处理２０～３０分钟；（２）将上述处理后的硅片在８５０～１０５０℃氯化氢气氛下进行氧化处理，使其表面生成厚度为１０至３０纳米的氧化层；（３）再在８５０～９００℃下通源磷扩散，使得表面方块电阻控制在４０～５０欧姆，结深０．２～１．０微米；（４）最后在７００～７５０℃氮气气氛下退火处理３０～６０分钟，完成单晶硅片的磷扩散处理。本发明专利技术可以采用纯度为４、５Ｎ的单晶硅作为制造太阳能电池的材料，因而，可以利用冶金硅等纯度较低的材料，极大地降低了材料成本，有利于单晶硅太阳能电池的普及应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造太阳能电池的扩散制结工艺，具体涉及一种制造太 阳能电池的磷扩散方法。
技术介绍
太阳能是人类取之不尽、用之不竭的可再生能源，也是清洁能源，使用太 阳能可有效减轻环境污染。大阳能光电利用是近些年来发展最快、最具活力 的研究领域之一。太阳能电池主要以半导体材料为基础制作，其工作原理是 光电材料吸收光能后发生光电子转换反应而产生电流，目前广泛采用的是硅 太阳能电池。硅太阳能电池又分为单晶硅太阳电池、非晶硅太阳电池和多晶 硅太阳电池等。其中，单晶硅大阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。现有技术中，单晶硅大阳能电池的制造主要包括如下步骤去损伤层一制 绒一扩散制结一等离子刻蚀去边一去磷硅玻璃一减反射膜一丝网印刷一烧 结。其中，扩散制结(通常是磷扩散制结)是一个关键步骤，制结质量会影 响最终的光电转换效率。在工业化生产中，典型的结制备分为两步第一步 用氮气通过液态的POCl3，将所需的杂质用载流气体输运至高温半导体表面， 杂质扩散深度约几百个纳米；第二步是高温处理，使预沉积在表面的杂质原子继续向基体深处扩散，这样就形成了一个N+ZN层，这样的结构有利于后续电极的制备。这种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）将待处理的单晶硅片在９００～９５０℃氮气气氛下进行退火处理２０～３０分钟；（２）将上述处理后的硅片在８５０～１０５０℃氯化氢气氛下进行氧化处理，使其表面生成厚度 为１０至３０纳米的氧化层；（３）再在８５０～９００℃下通源磷扩散，使得表面方块电阻控制在４０～５０欧姆，结深０．２～１．０微米；（４）最后在７００～７５０℃氮气气氛下退火处理３０～６０分钟，完成单晶硅片的磷扩散处理。

【技术特征摘要】
1.一种制造太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，包括如下步骤(1)将待处理的单晶硅片在900～950℃氮气气氛下进行退火处理20～30分钟；(2)将上述处理后的硅片在850～1050℃氯化氢气氛下进行氧化处理，使其表面生成厚度为10至30纳米的氧化层；(3)再在850～900℃下通源磷扩散，使得表面方块电阻控制在40～50欧姆，结...

【专利技术属性】
技术研发人员：章灵军，左云翔，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]