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本发明公开了一种制造太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）将待处理的单晶硅片在９００～９５０℃氮气气氛下进行退火处理２０～３０分钟；（２）将上述处理后的硅片在８５０～１０５０℃氯化氢气氛下进行氧化处理，使其表面生成厚度为１...该专利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州阿特斯阳光电力科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种制造太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）将待处理的单晶硅片在９００～９５０℃氮气气氛下进行退火处理２０～３０分钟；（２）将上述处理后的硅片在８５０～１０５０℃氯化氢气氛下进行氧化处理，使其表面生成厚度为１...