太阳能电池硅片翘曲的解决方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池硅片翘曲的解决方法，包括硅片清洗、硅片ＰＮ结扩散、刷电极、烧结背电场，其特征在于：在烧结背电场后，首先对硅片进行液氮冷却处理，然后对硅片进行真空干燥处理。本发明专利技术通过在烧结背电场后采取液氮冷却及真空干燥相结合的处理方法，能使翘曲的硅片恢复至平整状态，且基本不减少硅片少子的寿命，有效提高了太阳能电池的转化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池硅片的处理工艺，具体地说，涉及一种解决太阳能电池硅片 翘曲的处理工艺。
技术介绍
硅是制备太阳能电池最常用的半导体材料。目前，太阳能电池硅片有越作越薄的趋势， 一是为了降低成本，二是为了充分发挥其背电场的优势，从而提高太阳能电池的转化效率。 然而当太阳能电池硅片减薄至200jxm以下时，在烧结背电场后，由于铝浆与硅的热膨胀系数 不同而产生应力，致使硅片很容易发生翘曲。例如一块面积为15X15cm2、厚度为100iam的 硅片，翘曲程度最高能达到12mm。翘曲严重影响了太阳能电池的组装，甚至导致电池不可 用。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，通过在烧结背 电场后采取液氮冷却及真空干燥相结合的处理方法，能使翘曲的硅片拉平，且基本不减少硅 片少子的寿命。本专利技术的技术方案如下一种，包括硅片清洗、硅片PN结扩散、刷电极、烧结 背电场，其特征在于在烧结背电场后，首先对硅片进行液氮冷却处理，然后对硅片进行真 空干燥处理。在硅片清洗后，硅片PN结扩散前，还可以对硅片进行真空干燥处理。在硅片PN结扩散后，刷电极前，还可以对硅片进行液氮冷却处理，然后对硅片进行真 空干燥处理。所述液氮冷却处理的温度为一2(TC 一7(rC;所述真空干燥处理的真空度为10—2Pa 10-4Pa。本专利技术采用液氮冷却处理，能恢复高温对硅片造成的缺陷，释放由于热膨胀系数不同而 产生的应力，使翘曲的片子自然恢复至平整状态。此外，液氮冷却处理过程还会给硅片掺进 一些氮，有利于增强超薄硅片的机械强度。采用真空干燥处理能够快速去除留在硅片上的水 份，与目前普遍采用的红外干燥处理方式相比，可以有效地避免红外灯烘干对少子寿命的减少，提高太阳能电池的转化效率。 附图说明图1所示为本专利技术的一个实施例的工艺流程图。具体实施例方式以下结合附图和实施例详细说明本专利技术。如图1所示，首先对硅片进行清洗，清洗后对硅片进行真空干燥处理，真空度达到10—2Pa 时停止干燥，对硅片进行PN结扩散处理。然后对硅片进行液氮冷却处理，处理的温度为一 20°C 一70°C。由于液氮的引入不可避免地带来一些水份，因此在液氮冷却处理后对硅片进 行真空干燥处理，真空度达到1(^Pa时即可停止干燥。接着对硅片刷电极，烧结背电场。烧 结背电场后，硅片会出现一定程度的翘曲。此时对硅片进行液氮冷却处理，处理温度为一20 'C 一70'C,使翘曲的片子拉平，最后对硅片进行真空干燥处理即可。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池硅片翘曲的解决方法，包括硅片清洗、硅片ＰＮ结扩散、刷电极、烧结背电场，其特征在于：在烧结背电场后，首先对硅片进行液氮冷却处理，然后对硅片进行真空干燥处理。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池硅片翘曲的解决方法，包括硅片清洗、硅片PN结扩散、刷电极、烧结背电场，其特征在于在烧结背电场后，首先对硅片进行液氮冷却处理，然后对硅片进行真空干燥处理。2. 根据权利要求1所述的太阳能电池硅片翘曲的解决方法，其特征在于在硅片清洗后， 硅片PN结扩散前，对硅片进行真空干燥处理。3. 根据权利要求1所述的太阳能电池硅片翘曲的解决方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴伟，张玉红，马忠权，
申请(专利权)人：上海索朗太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]