半导体结构和制造电阻器的方法技术

本申请涉及半导体结构和制造电阻器的方法。本发明专利技术提供的一种含多晶硅电阻器包括：（１）从硼和氟化硼中选出的一种ｐ型掺杂剂；以及（２）从砷和磷中选出的一种ｎ型掺杂剂。每一个所述ｐ型掺杂剂和ｎ型掺杂剂的掺杂剂浓度从每立方厘米大约１ｅ１８到大约１ｅ２１个掺杂剂原子。本发明专利技术的一种用于形成所述多晶硅电阻器的方法使用从每平方厘米大约１ｅ１４到大约１ｅ１６个掺杂剂离子的相应的注入剂量。可以同时或顺序提供所述ｐ型掺杂剂和ｎ型掺杂剂。对于具有大约１００到大约５０００欧姆每平方的表面电阻的多晶硅电阻器，所述方法提供了具有小于大约１．５％的表面电阻百分数标准差的特定多晶硅电阻器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体结构中的电阻器。更具体地，本专利技术涉 及半导体结构中的含多晶硅电阻器。
技术介绍
除了晶体管、二极管和电容器之外，半导体结构和半导体电路通 常还包括电阻器。在半导体电路中，电阻器可以用作信号处理元件、耗能(power dissipative)元件以及电阻性负栽元件。尽管在半导体电路中电阻器是常规元件，但是希望电阻器像其它 半导体电路元件一样被制造为在尺寸缩小的同时具有提升的性能。在 电阻器制造中，提升的性能常常由电阻器的体电阻率精度或表面电阻 (薄膜电阻，薄层电阻)精度来表示，因为体电阻率精度或表面电阻 精度对电路性能往往至关重要。可以使用几种电阻材料中的任何一种制造半导体电路中的电阻 器。但是，特别常用的电阻材料是含多晶硅电阻材料。只要掺杂不同 水平和类型的掺杂剂，含多晶硅电阻材料可以被制造为具有不同的体 电阻率或表面电阻。可以在淀积多晶珪材料时，本征地(intrinsically ) 掺入所述掺杂剂。或者，在形成多晶硅电阻器时，常规地离子注入这 样的掺杂剂。在半导体制造领域中已经公开了用于形成多晶硅电阻器的各种方法。例如，在美国专利No.4，489，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：位于衬底上的含多晶硅层，包括：从硼掺杂剂和二氟化硼掺杂剂中选出的至少一种ｐ型掺杂剂，总的ｐ型掺杂剂浓度为大约１ｅ１８到大约１ｅ２１个掺杂剂原子每立方厘米；以及从磷掺杂剂和砷掺杂剂中选出的至少一种ｎ型掺杂剂，总的ｎ型掺杂剂浓度为大约１ｅ１８到大约１ｅ２１个掺杂剂原子每立方厘米，所述总的ｐ型掺杂剂浓度和所述总的ｎ型掺杂剂浓度在浓度上的差别为至少大约１ｅ１９个掺杂剂原子每立方厘米。

【技术特征摘要】
US 2006-7-19 11/458,4941.一种半导体结构，包括位于衬底上的含多晶硅层，包括从硼掺杂剂和二氟化硼掺杂剂中选出的至少一种p型掺杂剂，总的p型掺杂剂浓度为大约1e18到大约1e21个掺杂剂原子每立方厘米；以及从磷掺杂剂和砷掺杂剂中选出的至少一种n型掺杂剂，总的n型掺杂剂浓度为大约1e18到大约1e21个掺杂剂原子每立方厘米，所述总的p型掺杂剂浓度和所述总的n型掺杂剂浓度在浓度上的差别为至少大约1e19个掺杂剂原子每立方厘米。2. 如权利要求1所述的半导体结构，还包括到所述含多晶硅层 的相对端的一对接点。3. 如权利要求1所述的半导体结构，其中所述含多晶硅层的厚 度为大约200埃到大约5000埃。4. 如权利要求1所述的半导体结构，其中所述含多晶硅层具有 大约100到大约5000欧姆每平方的表面电阻。5. 如权利要求l所述的半导体结构，其中 所述n型掺杂剂仅由磷掺杂剂构成；以及 所述含多晶硅层具有小于大约1.5%的表面电阻百分数标准差。6. 如权利要求1所述的半导体结构，其中所述衬底包括半导体材料。7. 如权利要求1所述的半导体结构，其中所述衬底包括电介质材料。8. 如权利要求7所述的半导体结构，其中所述电介质材料包括 隔离区。9. 如权利要求1所述的半导体结构，其中所述含多晶硅层包括 多晶硅。10. 如权利要求l所述的半导体结构，其中所述含多晶硅层包括 多晶硅-锗合金。11. 一种用于制造电阻器的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：库纳尔威地，埃尼尔K奇恩萨肯迪，约翰E弗洛克，埃比尼泽E埃尚，道格拉斯D库尔鲍，罗伯特M拉塞尔，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]