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本申请涉及半导体结构和制造电阻器的方法。本发明提供的一种含多晶硅电阻器包括：（１）从硼和氟化硼中选出的一种ｐ型掺杂剂；以及（２）从砷和磷中选出的一种ｎ型掺杂剂。每一个所述ｐ型掺杂剂和ｎ型掺杂剂的掺杂剂浓度从每立方厘米大约１ｅ１８到大约１ｅ２...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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