【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种提高多晶硅栅极层厚度均匀性的方法，包括：提供基底，所述基底具有沟槽密集区与沟槽稀疏区；在所述沟槽密集区的所述基底中形成多个第一沟槽隔离结构，并同时在所述沟槽稀疏区的所述基底中形成多个第二沟槽隔离结构，且在所述第一沟槽隔离结构之间和所述第二沟槽隔离结构之间的间隙形成掩模层；移除部分的所述沟槽密集区的所述第一沟槽隔离结构，使所述第一沟槽隔离结构的顶部表面低于所述第二沟槽隔离结构的顶部表面；移除所述掩模层，直至暴露出所述基底表面；形成多晶硅栅极层，以覆盖住所述基底、所述第一沟槽隔离结构与所述第二沟槽隔离结构；并且进行平坦化工艺，移除部分所述多晶硅栅极层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王大仁，蔡原祯，童世然，松尾洋，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，瑞萨科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]
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