多晶硅薄膜制备方法技术

本发明专利技术涉及多晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的多晶硅薄膜的组件的形成方法。一种多晶硅薄膜制备方法，其主要特点包括有如下步骤：Ａ．基底清洗；Ｂ．多晶硅薄膜制备，将高纯硅作为靶材，当真空室体内压强抽到２×１０↑［－４］Ｐａ后，向真空室体充入氩气，真空室体内压强达到０．５～５Ｐａ时，在基底的工件车和真空室体间加２００～１０００Ｖ的偏压，占空比为４５～８０％；磁场强度３００～５００Ｇｓ，开始磁控溅射镀膜，在基片铝膜表面形成多晶硅薄膜；基片温度为２５～３０℃，镀膜时，真空室体温度为２５～３０℃。本发明专利技术的优点是，可在常温下直接得到高结晶度的多晶硅薄膜，使得硅衬底薄膜的制备与结晶在真空条件下同步完成，大大降低了多晶硅薄膜大规模制备的成本。其工艺简单，可批量生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶硅薄膜制备方法，其特征包括有如下步骤：Ａ．基底清洗，在超声清洗机中用清洗液和纯净水的混合液对基底进行表面清洗；Ｂ．多晶硅薄膜制备，将高纯硅作为靶材，当真空室体内压强抽到２×１０↑［－４］Ｐａ后，向真空室体充入氩气，真 空室体内压强达到０．５～５Ｐａ时，在安装基底的工件车和真空室体间加２００～１０００Ｖ的偏压，占空比为４５～８０％；磁场强度３００～５００Ｇｓ；开始磁控溅射镀膜，在基底表面形成多晶硅薄膜；基底温度为２５～３０℃，镀膜时，真空室体温度为２５～３０℃。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：范多旺，王成龙，范多进，令晓明，孔令刚，
申请(专利权)人：兰州大成自动化工程有限公司，兰州交通大学，
类型：发明
国别省市：62[中国|甘肃]