使用光致抗蚀剂掩模的蚀刻制造技术

提供一种蚀刻衬底上的介电层的方法。在介电层上形成光致抗蚀剂掩模。将衬底放入等离子体处理室中。向等离子体室提供含ＮＦ↓［３］的蚀刻气体。由ＮＦ↓［３］气体形成等离子体。通过光致抗蚀剂掩模，使用由ＮＦ↓［３］气体形成的等离子体蚀刻介电层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件制造中光致抗蚀剂掩模的使用。本专利技术尤 其涉及在半导体器件制造过程中通过光致抗蚀剂掩模蚀刻介电层。
技术介绍
在半导体晶片处理过程中，使用熟知的图形化和蚀刻工艺在晶片中确定出半导体器件的特征(feature)。 在这些工艺中，在晶片上 沉积光致抗蚀剂(PR)材料，然后经过光刻版滤光对其进行膝光。光 刻版可以是图形化的透明的板，它具有能阻止光通过光刻版传播的有 代表性的特征几何图形。光通过光刻版之后，会接触光致抗蚀剂材料的表面。光会改变光 致抗蚀剂材料的化学组成，这样显影剂就能除去部分光致抗蚀剂材 料。对于正光致抗蚀剂材料，啄光的区域会被除去，然而对于负光致 抗蚀剂材料，没有曝光的区域会被除去。然后，蚀刻晶片除去没有光 致抗蚀剂材料保护的区域下面的材料，从而在晶片中产生所需要的特 征。要增加密度，就要减小特征尺寸。这可以通过减小特征的临界尺 寸(CD)来实现，减小关键临界尺寸需要改善光致抗蚀剂的分辨率。 改善光致抗蚀剂分辨率的一个方法是使用更薄的光致抗蚀剂掩模。正在开发新一代的光致抗蚀剂材料(193和157nm PR)，以在光 致抗蚀剂中产生小的CD尺寸，但本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻衬底上的介电层的方法，包括：在介电层上形成光致抗蚀剂掩模；将衬底放入等离子体处理室中；向等离子体室内提供含有ＮＦ↓［３］的蚀刻气体；由ＮＦ↓［３］气体形成等离子体；以及通过光致抗蚀剂掩模，使用由ＮＦ↓［３］气体形成的等离子体蚀刻介电层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-3-29 11/094,5591.一种蚀刻衬底上的介电层的方法，包括在介电层上形成光致抗蚀剂掩模；将衬底放入等离子体处理室中；向等离子体室内提供含有NF3的蚀刻气体；由NF3气体形成等离子体；以及通过光致抗蚀剂掩模，使用由NF3气体形成的等离子体蚀刻介电层。2. 如权利要求1所述的方法，其中蚀刻气体基本不含有碳氟化 合物和氢氟烃。3. 如权利要求1 - 2中任一项所述的方法，其中介电层是低k介电层。4. 如权利要求1 - 3中任一项所述的方法，其中介电层是氧化硅 基介电层。5. 如权利要求4所述的方法，其中氧化硅基介电层是有机硅酸 盐玻璃。6. 如权利要求l-5中任一项所述的方法，其中形成光致抗蚀剂 掩模是形成厚度不超过400nm的光致抗蚀剂掩模。7. 如权利要求l-5中任一项所述的方法，其中形成光致抗蚀剂 掩模是形成厚度不超过200nm的光致抗蚀剂掩模。8. 如权利要求l-7中任一项所述的方法，其中蚀刻气体主要由 NF3和惰性稀释剂组成。9. 由权利要求1 - 8中任一项的方法制造的半导体器件。10. —种蚀刻衬底上的介电层的方法，包括 在介电层上形成厚度不超过400nm的光致抗蚀剂掩模； 将衬底放入等离子体处理室中；...

【专利技术属性】
技术研发人员：J金，S李，BA沃尔沙姆，R查拉坦，SMR萨亚迪，
申请(专利权)人：兰姆研究有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]