0.6微米硅化物保护自对准工艺制造技术

本发明专利技术揭示了一种０．６微米硅化物保护自对准工艺，在ＢＩＣＭＯＳ标准前道工艺和标准后道工艺之间进行，包括：Ｎ＋离子注入；Ｐ＋离子注入；源区、漏区注入；驱动区扩散；清洗液清洗；１５００Ａ氧化层沉积；硅化物保护层光照；氧化层干法刻蚀；湿法去胶；前清洗步骤；难融金属沉积；第一步热退火；选择性腐蚀；第二步热退火。本发明专利技术的０．６微米硅化物保护自对准工艺能在不破坏其他的双极管、功率器件及肖特基器件性能的前提下大大地提高了准逻辑器件（Ｓｔａｎｄａｒｄ　　ＣＭＯＳ）的驱动能力，并大大地降低电路的延迟效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及本导体制作工艺，更具体地说，涉及一种引入了硅化物保护自对准CMOS工艺的0.6微米BICMOS工艺。
技术介绍
在半导体器件的性能要求中，越来越多的客户要求减小接触孔电阻、 减小多晶硅互连电阻、减小有源区串联电阻并提高标准逻辑器件 (Standard CMOS)的驱动能力，而其他的双极管、功率器件及肖特基器件 不受任何影响。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种引入了硅化物保护自对准工艺的0.6微米 BICMOS工艺，能在不破坏其他的双极管、功率器件及肖特基器件性能的 前提下大大地提高了准逻辑器件(Standard CMOS)的驱动能力，并大大地 降低电路的延迟效应。根据本专利技术，提供一种0.6微米硅化物保护自对准工艺，在BICMOS 标准前道工艺和标准后道工艺之间进行，包括N+离子注入；P+离子注入； 源区、漏区注入；驱动区扩散；清洗液清洗；1500A氧化层沉积；硅化物 保护层光照；氧化层干法刻蚀；湿法去胶；前清洗步骤；难融金属沉积； 第一步热退火；选择性腐蚀；第二步热退火。根据本专利技术，使用该工艺得到的接触孔电阻为4ohm/con。使用该工艺 得到的多晶硅互连电阻和有源区串联电阻为3ohm/con。使用该工艺得到的 准逻辑器件驱动能力提高5%。使用该工艺得到的双极管、功率器件及肖 特基器件，除多晶硅互连电阻、有源区串联电阻及准逻辑器件之外，不发 生变化。采用本专利技术的技术方案，引入硅化物保护自对准工艺的BICOMS工艺满足了减小接触孔电阻、减小多晶硅互连电阻、减小有源区串联电阻、提高标准逻辑器件(Standard CMOS)驱动能力并保持其他的双极管、功率器 件及肖特基器件不受任何影响的要求。在不破坏其他的双极管、功率器件 及肖特基器件性能的前提下大大地提高了准逻辑器件(Standard CMOS)的 驱动能力，能大大地降低电路的延迟效应。附图说明本技术的上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附 图和实施例的描述而变得更加明显，在附图中，相同的附图标记始终表示 相同的特征，其中，图1是根据本专利技术一实施例的硅化物保护自对准工艺的剖析图； 图2是根据本专利技术 一实施例的硅化物保护自对准工艺的流程图。具体实施方式本专利技术揭示了一种0.6微米硅化物保护自对准工艺，在BICMOS标准 前道工艺和标准后道工艺之间进行，参考图2所示，该方法包括如下的步 骤N+离子注入；P+离子注入；源区、漏区注入；驱动区扩散；清洗液清 洗；1500A氧化层沉积；硅化物保护层光照；氧化层干法刻蚀；湿法去胶； 前清洗步骤；难融金属沉积；第一步热退火；选择性腐蚀；第二步热退火。参考图1，示出了本专利技术的硅化物保护自对准工艺的剖析图，图中100 是CMOS自对准硅化物的源、漏区；200是硅化物保护区。采用本专利技术的0.6微米硅化物保护自对准工艺获得的器件的性能如下 接触孔电阻为4ohm/con;多晶硅互连电阻和有源区串联电阻为3ohm/con; 准逻辑器件驱动能力提高5%;双极管、功率器件及肖特基器件，除多晶 硅互连电阻、有源区串联电阻及准逻辑器件之外，不发生变化。采用本专利技术的技术方案，引入硅化物保护自对准工艺的BICOMS工艺 满足了减小接触孔电阻、减小多晶硅互连电阻、减小有源区串联电阻、提 高标准逻辑器件(Standard CMOS)驱动能力并保持其他的双极管、功率器 件及肖特基器件不受任何影响的要求。在不破坏其他的双极管、功率器件及肖特基器件性能的前提下大大地提高了准逻辑器件(Standard CMOS)的驱动能力，能大大地降低电路的延迟效应。虽然本专利技术的技术方案已经结合较佳的实施例说明于上，但是本领域 的技术人员应该理解，对于上述的实施例的各种修改或改变是可以预见的， 这不应当被视为超出了本专利技术的保护范围，因此，本专利技术的保护范围不限 于上述具体描述的实施例，而应该是符合此处所揭示的创新性特征的最宽 泛的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种０．６微米硅化物保护自对准工艺，其特征在于，在ＢＩＣＭＯＳ标准前道工艺和标准后道工艺之间进行，包括：Ｎ＋离子注入；Ｐ＋离子注入；源区、漏区注入；驱动区扩散；清洗液清洗；１５００Ａ氧化层沉积 ；硅化物保护层光照；氧化层干法刻蚀；湿法去胶；前清洗步骤；难融金属沉积；第一步热退火；选择性腐蚀；第二步热退火。

【技术特征摘要】
1. 一种0.6微米硅化物保护自对准工艺，其特征在于，在BICMOS标准前道工艺和标准后道工艺之间进行，包括N+离子注入；P+离子注入；源区、漏区注入；驱动区扩散；清洗液清洗；1500A氧化层沉积；硅化物保护层光照；氧化层干法刻蚀；湿法去胶；前清洗步骤；难融金属沉积；第一步热退火；选择性腐蚀；第二步热退火。2. 如权利要求1所述的0.6微米硅化物保护自对准工艺，其特征在于: 使用该工艺得到的接触孔电阻为4ohm/con。...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵凯，郑游，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]