半导体结构及其制造方法技术

一种诸如ＣＭＯＳ结构的半导体结构，其包括具有横向可变的功函数的栅电极。该具有横向可变的功函数的栅电极可利用倾角离子注入方法或按顺序成层方法来形成。在未掺杂的沟道场效应晶体管器件中，该具有横向可变的功函数的栅电极提供增强的电性能。

【技术实现步骤摘要】

0001本专利技术一般涉及可包括金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)器件的半导体结构。更具体地，本专利技术涉及具有增强性 能的半导体结构。技术背景0002随着MOSFET器件尺寸的减少，尤其随着MOSFET栅 电极尺寸的减少，某些新效应在MOSFET器件中更为突出。特别有 害的新效应是短沟道效应。短沟道效应源于MOSFET中沟道区上的 栅电极的不充分电控电平。不期望的短沟道效应的结果包括在 MOSFET中大的MOSFET关态电流、高的备用功耗和有害的电参数 变化。图29和图30示出的一对说明本专利技术的值的图形图解说明了作为表面半导体层厚度的函数的阈值电压相对于栅长的关系。具体实施方式表面半导体层14可包括基础半导体衬底10可包括的几 种半导体材料中的任何一种半导体材料。针对化学成分、掺杂剂极性、掺杂剂浓度和结晶方向，表面半导体层14和基础半导体衬底10可包 括相同的或不同的半导体材料。通常，表面半导体层14可具有大约 500至大约IOOO埃的厚度。然而，在本实施例和以下实施例的上下文 中，表面半导体层14更为优选地具有大约20至大约200埃的厚度。 图6示出了根据本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，其包括位于半导体衬底上方的栅电极，所述栅电极具有在所述栅电极中横向可变的功函数。

【技术特征摘要】
US 2007-2-21 11/677,2071.一种半导体结构，其包括位于半导体衬底上方的栅电极，所述栅电极具有在所述栅电极中横向可变的功函数。2. 如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅电极被包括 在MOSFET器件中。3. 如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅电极被包括 在CMOS器件中。4. 如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅电极被包括 finFET器件中。5. 如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅电极包括具 有相对较高的功函数的中心区域。6. 如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅电极包括具 有相对较低的功函数的中心区域。7. 如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅电极包括具 有第一功函数的芯材料和被层叠到所述芯材料并具有不同于所述第 一功函数的第二功函数的第二材料。8. 如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅电极包括具 有第一功函数的倒V形状的芯材料和与所述芯材料相邻并具有不同 于所述第一功函数的第二功函数的第二材料。9. 如权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅电极位于所 述半导体衬底中的未掺杂的沟道上方。10. —种制造半导体结构的方法，包括以下步骤 提供包括栅电极的半导体衬底，该栅电极被形成在所述半导体衬底上方；和处理所述栅电极以提供处理过的栅电极，该处理过的栅电极具有 在所述处理过的...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂文J科斯特，威尔弗雷德EA哈恩斯奇，阿姆兰玛尤姆达，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]