【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及p型量子阱红外探测器，特别是指一种用于探测中波(3-5um)、 长波(8-12um)的量子点共振隧穿二极管辅助的量子放大的p型量子阱红外探 观!j器。技术背景量子阱红外探测器(QWIP)在近十年中发展很快，从单个器件到焦平面器 件的研制工艺都已经相当完善。其中n型量子阱红外探测器(n-QWIP)由于电 子有效质量小，迁移率高，器件对红外辐射具有很高的探测率和响应速率，得 到了人们的广泛研究。但n-QWIP由于受量子跃迁选择定则的限制，必须使用介 质或金属耦合光栅才能对正入射光有吸收，给焦平面器件制备工艺带来了极大 的困难。而对于p型量子阱红外探测器，由于轻、重空穴带的混合，正入射光 可以直接诱导空穴亚带跃迁，无需耦合光栅就可以被p-QWIP吸收，因而易于进 行焦平面制备。但由于空穴有效质量较大、迁移率低，难以以微米量级传输过 电极层，形成光电流，因而器件的量子效率和探测率都很低。共振隧穿二极管的电流一电压曲线具有很强的非线性，在共振隧穿峰值电 压附近偏压的稍许变化就能导致隧穿电流的极大变化。如果在共振隧穿双势垒 前面埋入一层量子点，形成量子点共...
【技术保护点】
一种量子放大的ｐ型量子阱红外探测器，包括：量子点共振隧穿二极管和ｐ型量子阱有源层（１０）； 所说的量子点共振隧穿二极管由半绝缘ＧａＡｓ衬底（１），在半绝缘ＧａＡｓ衬底上通过分子束外延或金属有机气相外延方法依次排列生长ＧａＡｓ缓冲层（２）、ＡｌＡｓ腐蚀阻挡层（３）、掺杂浓度渐变的ｎ↑［＋］ＧａＡｓ下电极层（４）、第一ＧａＡｓ间隔层（５）、双势垒结构层（６）、第二ＧａＡｓ间隔层（７）、ＩｎＡｓ量子点（８）、本征ＧａＡｓ量子点覆盖层（９）、第三ＧａＡｓ间隔层（１１）和ｎ↑［＋］ＧａＡｓ上电极层（１２）组成；其中双势垒结构层（６）为Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ａｓ／ＧａＡｓ／...
【技术特征摘要】
1.一种量子放大的p型量子阱红外探测器，包括量子点共振隧穿二极管和p型量子阱有源层(10)；所说的量子点共振隧穿二极管由半绝缘GaAs衬底(1)，在半绝缘GaAs衬底上通过分子束外延或金属有机气相外延方法依次排列生长GaAs缓冲层(2)、AlAs腐蚀阻挡层(3)、掺杂浓度渐变的n+GaAs下电极层(4)、第一GaAs间隔层(5)、双势垒结构层(6)、第二GaAs间隔层(7)、InAs量子点(8)、本征GaAs量子点覆盖层(9)、第三GaAs间隔层(11)和n+GaAs上电极层(12)组成；其中双势垒结构层(6...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆卫，王旺平，侯颖，李天信，陈平平，张波，甄红楼，李宁，陈效双，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。