碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法，该探测器包括：衬底，与衬底接触的碲镉汞薄片，通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区和公共电极区，其特征是：信号引出电极区和公共电极区采用多层立交布置，在两层电极区交叠处依次设置有负胶层、ＳｉＯ↓［２］层作为复合绝缘介质。该多层电极的制备方法，主要包括复合绝缘介质的置备。本发明专利技术的优点是：电极区采用多层立交布置，增大了光敏面的有效使用面积，提高了器件的成像性能。本发明专利技术特别适合正面引出电极的光导型焦平面的器件，尤其是长波和甚长波的碲镉汞光导型焦平面探测器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碲镉汞红外面阵探测器，具体是指碲镉汞长波光导型红外面阵 探测器及多层电极的制备方法。技术背景碲镉汞红外面阵探测器由光伏型和光导型两类。光伏型面阵探测器可以采 用背照射结构，光从衬底入射，也就是光敏面的背面入射，电极布置在光敏面 上方，采用铟柱与读出电路倒焊连接，信号是从读出电路上采集的。所以光伏 器件的电极区的大小并不影响光敏面的面积。光导型器件由于结构的限制，其 入射光是从光敏元正面照射，电极是从光敏元正面的两侧引出，随着光敏元数 的增加，电极所占的面积也增大，在给定面阵器件的面积内，使有效光敏面积 减少，器件的占空比增大，从而影响器件成像性能。另外，由于受材料及工艺的限制，长波和甚长波的碲镉汞多元探测器大都采用光导型，只有法国Sofradir红外探测器公司，提供光伏型长波线列480X6 碲镉汞红外探测器。采用双层甚至多层电极布线可以解决面阵探测器的占空比问题，但是必需要 解决多层电极之间的绝缘问题，目前硅器件使用的绝缘介质都需要高温生长或 者固化，温度至少在35(TC以上才能达到一定化学与物理的稳定性，使之与承载 材料有较强的附着力、绝缘系数有一定的保证。由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，包括：衬底（１），通过环氧胶（２）固定在衬底上的碲镉汞薄片，与衬底接触的碲镉汞薄片一面带有钝化层（３），通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵（４）及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区（５）和公共电极区（６），信号引出电极区（５）上依次生长有金属铟层（５０１）、金属金层（５０２），公共电极区（６）上依次生长有金属铬层（６０１）、金属金层（６０２），其特征在于：信号引出电极区（５）和公共电极区（６）为多层立交布置，公共电极区位于信号引出 电极区上面，在两层电极区叠交处依次设置有负胶层（７）、ＳｉＯ↓［２］层（８）作为复合绝缘介质层。

【技术特征摘要】
1.一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，包括衬底(1)，通过环氧胶(2)固定在衬底上的碲镉汞薄片，与衬底接触的碲镉汞薄片一面带有钝化层(3)，通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵(4)及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区(5)和公共电极区(6)，信号引出电极区(5)上依次生长有金属铟层(501)、金属金层(502)，公共电极区(6)上依次生长有金属铬层(601)、金属金层(602)，其特征在于信号引出电极区(5)和公共电极区(6)为多层立交布置，公共电极区位于信号引出电极区上面，在两层电极区叠交处依次设置有负胶层(7)、SiO2层(8)作为复合绝缘介质层。2. —种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器的多层电极的制备方法，其特征 在于具体步骤如下A. 在制备好的碲镉汞长波光导型红外焦平面探测器的信号电极区(5)上依 次镀上金属铟层(50...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱龙源，李向阳，王妮丽，刘诗嘉，储开慧，赵水平，兰添翼，刘向阳，张红妹，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]