【技术实现步骤摘要】
本专利涉及光电探测器技术，具体指一种从背面引电极的高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器。
技术介绍
随着红外成像技术的发展，对红外器件的要求越来越高。红外探测器已经从单元到线列，再到今天逐渐向现在的面阵发展。长波面阵红外探测器要求材料面积大，组分均匀，一般都采用碲镉汞的薄膜材料来制造此类面阵探测器，符合这种要求的中短波薄膜材料较容易得到。但要想得到面积大，组分均匀的长波薄膜材料难度非常大，而目前就技术方面，工艺设备方面等的因素，体材料的长波段相对薄膜材料较容易得到。但体材料也有它致命的缺点，就是材料面积较小，因此对面阵探测器要求是占空比越大越好，此处所说的占空比定义为在给定的面阵探测器内，光敏面所占的比例。然而由于传统工艺制备的面阵探测器的每个光敏元的引线布置是在正照射面上，所以又希望光敏面之间的间隔尽量的大，使电极引线的安排更充裕，这就大大的降低了占空比，我们现有工艺制备的面阵探测器的占空比仅为25_30%左右。为了在有限的面积上制备尽可能高占空比的面阵探测器，可以采用背照射工艺，此结构的光敏元面朝衬底，光穿过衬底向光敏面入射，而金属电极引线做在芯片光敏元的...
【技术保护点】
一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器，经阳极氧化处理的碲镉汞材料（１２）的带有阳极氧化层（１１）的一面镀ＺｎＳ抗反膜（１０）后通过环氧树脂胶（９）与蓝宝石衬底（７）相连，其特征在于：所述的探测器的电极是从蓝宝石衬底（７）的背面引出的，在所述的蓝宝石衬底（７）上芯片列阵所处的相应位置用激光打出微孔列阵，通过电镀在微孔列阵中填满电镀金（８），对处理好的碲镉汞材料（１２）光刻刻穿碲镉汞，制备出对应的面阵孔，通过井伸工艺将碲镉汞与电镀金（８）连在一起后，在蓝宝石衬底（７）背面的微孔列阵上长芯片铟柱（５），芯片铟柱（５）与电路板上的电路板铟柱（４）互连，将电信号从探测器衬底的背面引出。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：包西昌，朱龙源，李向阳，兰添翼，赵水平，王妮丽，刘诗嘉，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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