发光二极管晶片封装体及其封装方法技术

一种发光二极管晶片封装体包括：一个具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半导体层的发光二极管晶片，该第二半导体层在其不包括形成有导电触点的表面上具有数个荧光粉单元；一个形成于这些第一半导体层的表面上的绝缘层，移去该绝缘层的若干部份以暴露这些半导体层的导电触点及这些荧光粉单元；一个形成于这些第一半导体层的表面上的金属层，研磨该金属层直到该绝缘层的未被移去的部份被暴露为止，从而使位于每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面上的金属层部份可以作为一个反射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及形成于每个作为导电连接层的金属层部份上的导电凸块。

【技术实现步骤摘要】
专利
概括地说，本专利技术涉及一种发光二极管晶片封装体及其封装方 法，具体地说，本专利技术涉及一种亮度提升的发光二极管晶片封装体及 其封装方法。技术背景近年来，以发光二极管取代现有发光源作为电子装置、照明设备 等等的发光源已越来越普及。然而，要完全以发光二极管取代现有发 光源，则必须进一步提升现有发光二极管的亮度。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种亮度提升的发光二极管晶片封装体及 其封装方法。根据本专利技术的一特征，提供了一种发光二极管晶片封装体的封装 方法，该方法的特征在于包括如下步骤提供一个发光二极管晶圆， 该发光二极管晶圆具有数个发光二极管晶片，每个发光二极管晶片具 有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半导体 层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在该第一半导 体层的形成有第二半导体层的表面上形成一个覆盖这些第二半导体 层的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移 去以曝露这些半导体层的部份的表面；在每个第二半导体层的特定的 曝露表面部份上布设数个荧光粉单元；在这些第一半导体层的表面上 形成一个第二绝缘层，从而使这些第一半导体层和这些第二半导体层 的先前被曝露的表面被覆盖；把该第二绝缘层研磨直到第一绝缘层的 未被移去的部份被曝露为止，该第二绝缘层被定以图案，从而使该第 二绝缘层的若干部份被移去以曝露每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面和每个第一和第二半导体层的导电触点；在这些第一半 导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二半导体层被覆盖， 研磨该金属层直到这些绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，从而使 位于每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面上的金属层部份 可以作为一个反射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及于每个作为导电连接层的金属层部份上形成导电凸块，从而使每个半导体层的导电触点是经 由对应的金属层部份和对应的导电凸块来与外部电路电气连接的。 根据本专利技术的另一特征，提供一种发光二极管晶片封装体的封装方法提供，该方法的特征在于包括如下步骤提供一个发光二极管晶 圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极管晶片，每个发光二极管晶 片具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半 导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在每个第 二半导体层的表面上布设数个荧光粉单元；于这些第一半导体层的形 成有第二半导体层的表面上形成一个覆盖这些第二半导体层的绝缘 层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移去以曝露 这些半导体层的导电触点及这些荧光粉单元；在这些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二半导体层被覆盖，研磨该金 属层直到该绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，从而使位于每个第 二半导体层的布设有荧光粉单元的表面上的金属层部份可以作为一 个反射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部 份可以作为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部 份上形成导电凸块，从而使每个半导体层的导电触点是经由对应的金 属层部份和对应的导电凸块来与外部电路电气连接的。根据本专利技术的又另一特征，提供了一种发光二极管晶片封装体的 封装方法，该方法的特征在于包括如下步骤提供一个发光二极管晶圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极管晶片，每个发光二极管晶 片具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在这些第 一半导体层的形成有第二半导体层的表面上形成一个覆盖这些第二半导体层的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部 份被移去以曝露每个半导体层的部份的表面；在每个第二半导体层的特定的曝露表面部份上布设一个荧光粉层；在这些第一半导体层的表面上形成一个第二绝缘层，从而使这些半导体层的先前被曝露的表面和这些荧光粉层3'被覆盖，该第二绝缘层被研磨直到该第一绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，而且被定以图案以移去该绝缘层的若干部份，从而使每个荧光粉层和每个半导体层的导电触点被曝露；在这 些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二半导体层 被覆盖，研磨该金属层直到这些绝缘层的未被移去的部份被曝露为 止，从而使位于每个荧光粉层上的金属层部份可以作为一个反射层， 而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可以作 为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部份上形成 导电凸块，从而使每个半导体层的导电触点经由对应的金属层部份和 对应的导电凸块来与外部电路电气连接。根据本专利技术的再另一特征，提供了一种发光二极管晶片封装体的 封装方法，该方法的特征在于包括如下的步骤提供一个发光二极管晶圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极管晶片，每个发光二极管 晶片具有一个第一半导体层和一个设置在该第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在每个 第二半导体层的表面上布设一个荧光粉层；在这些第一半导体层的形 成有第二半导体层的表面上形成一个覆盖这些第二半导体层的绝缘 层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移去以曝露 这些半导体层的导电触点及这些荧光粉层；在这些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二半导体层被覆盖，研磨该金属 层直到该绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，从而使位于每个第二 半导体层的布设有荧光粉层的表面上的金属层部份可以作为一个反 射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可 以作为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部份上 形成导电凸块，从而使每个半导体层的导电触点是经由对应的金属层 部份和对应的导电凸块来与外部电路电气连接的。根据本专利技术的又再一特征，提供了一种发光二极管晶片封装体， 该封装体的特征在于包括 一个发光二极管晶片，该发光二极管晶片 具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半导 体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点，该第二半导 体层在其不包括形成有导电触点的表面上具有数个荧光粉单元； 一个 在这些第一半导体层的形成有第二半导体层的表面上形成的绝缘层， 该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移去以曝露这些 半导体层的导电触点及这些荧光粉单元； 一个形成于这些第一半导体 层的表面上从而使这些第二半导体层被覆盖的金属层，研磨该金属层 直到该绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，从而使位于每个第二半 导体层的布设有荧光粉单元的表面上的金属层部份可以作为一个反 射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可 以作为一个导电连接层；以及形成在每个作为导电连接层的金属层部 份上的导电凸块，每个半导体层的导电触点是经由对应的金属层部份 和对应的导电凸块来与外部电路电气连接的。根据本专利技术的又再另一特征，提供了一种发光二极管晶片封装 体，该封装体的特征在于包括 一个发光二极管晶片，该发光二极管 晶片具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二 半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点，该第二半导体层在其不包括形成有导电触点的表面上形成一个荧光粉层；一个形成在这些第一半导体层的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于包括如下的步骤：提供一个发光二极管晶圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极管晶片，每个发光二极管晶片具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在该第一半导体层的形成有第二半导体层的表面上形成一个覆盖这些第二半导体层的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移去以曝露这些半导体层的部份的表面；在每个第二半导体层的特定的曝露表面部份上布设数个荧光粉单元；在这些第一半导体层的表面上形成一个第二绝缘层，从而使这些第一半导体层和这些第二半导体层的先前被曝露的表面被覆盖；把该第二绝缘层研磨直到第一绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，该第二绝缘层被定以图案，从而使该第二绝缘层的若干部份被移去以曝露每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面和每个第一和第二半导体层的导电触点；在这些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二半导体层被覆盖，研磨该金属层直到这些绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，从而使位于每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面上的金属层部份可以作为一个反射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部份上形成导电凸块，从而使每个半导体层的导电触点经由对应的金属层部份和对应的导电凸块来与外部电路电气连接。...

【技术特征摘要】
1. 一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于包括如下的步骤提供一个发光二极管晶圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极管晶片，每个发光二极管晶片具有一个第一半导体层和一个设置于该第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在该第一半导体层的形成有第二半导体层的表面上形成一个覆盖这些第二半导体层的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝缘层的若干部份被移去以曝露这些半导体层的部份的表面；在每个第二半导体层的特定的曝露表面部份上布设数个荧光粉单元；在这些第一半导体层的表面上形成一个第二绝缘层，从而使这些第一半导体层和这些第二半导体层的先前被曝露的表面被覆盖；把该第二绝缘层研磨直到第一绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，该第二绝缘层被定以图案，从而使该第二绝缘层的若干部份被移去以曝露每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面和每个第一和第二半导体层的导电触点；在这些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二半导体层被覆盖，研磨该金属层直到这些绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，从而使位于每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面上的金属层部份可以作为一个反射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部份上形成导电凸块，从而使每个半导体层的导电触点经由对应的金属层部份和对应的导电凸块来与外部电路电气连接。2、 如权利要求l所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于还包括，沿着切割线切割该晶圆以得到个别的发光二极管晶片封装体。3、 如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其中，这些第一半导体层是N型半导体层，而这些第二半导体层是P型半导体层。4、 如权利要求1所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其中， 这些第二半导体层的表面是经过粗糙化处理的。5、 一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于包括如下的步骤提供一个发光二极管晶圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极 管晶片，每个发光二极管晶片具有一个第一半导体层和一个设置于该 第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在每个第二半导体层的表面上布设数个荧光粉单元；在这些第一半导体层的形成有第二半导体层的表面上形成一个 覆盖这些第二半导体层的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝 缘层的若干部份被移去以曝露这些半导体层的导电触点及这些荧光粉单元；在这些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二 半导体层被覆盖，研磨该金属层直到该绝缘层的未被移去的部份被曝 露为止，从而使位于每个第二半导体层的布设有荧光粉单元的表面上 的金属层部份可以作为一个反射层，而在每个半导体层的形成有导电 触点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部份上形成导电凸块，从而使每 个半导体层的导电触点是经由对应的金属层部份和对应的导电凸块 来与外部电路电气连接的。6、 如权利要求5所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于还包括，沿着切割线切割该晶圆以得到个别的发光二极管晶片 封装体。7、 如权利要求5所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其中， 这些第一半导体层是N型半导体层，而这些第二半导体层是P型半导 体层。8、 如权利要求5所述的发光二极管晶片封装体的封装方法，其中， 这些第二半导体层的表面是经过粗糙化处理的。9、 一种发光二极管晶片封装体的封装方法，其特征在于包括如下的步骤提供一个发光二极管晶圆，该发光二极管晶圆具有数个发光二极 管晶片，每个发光二极管晶片具有一个第一半导体层和一个设置于该 第一半导体层上的第二半导体层，每个半导体层在其表面上具有至少一个导电触点；在这些第一半导体层的形成有第二半导体层的表面上形成一个 覆盖这些第二半导体层的绝缘层，该绝缘层被定以图案，从而使该绝 缘层的若干部份被移去以曝露每个半导体层的部份的表面；在每个第二半导体层的特定的曝露表面部份上布设一个荧光粉层；在这些第一半导体层的表面上形成一个第二绝缘层，从而使这些 半导体层的先前被曝露的表面和这些荧光粉层3'被覆盖，该第二绝缘 层被研磨直到该第一绝缘层的未被移去的部份被曝露为止，而且被定 以图案以移去该绝缘层的若干部份，从而使每个荧光粉层和每个半导 体层的导电触点被曝露；在这些第一半导体层的表面上形成一个金属层，从而使这些第二 半导体层被覆盖，研磨该金属层直到这些绝缘层的未被移去的部份被 曝露为止，从而使位于每个荧光粉层上的金属层部份可以作为一个反 射层，而在每个半导体层的形成有导电触点的表面上的金属层部份可以作为一个导电连接层；以及在每个作为导电连接层的金属层部份上形成导电凸块，从而使每 个...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈育浓，
申请(专利权)人：沈育浓，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]