发光二极管封装制作方法技术

一种发光二极管封装制作方法，包括下列步骤：使用湿蚀刻制作具有凹槽的硅基座；在凹槽内依次形成反射层、透明绝缘层及金属凸块；将发光二极管安装在所述金属凸块上；使用保护胶将所述凹槽填平，以提供平整的上表面；以及使用印刷方式形成荧光层。由于荧光层印刷在平整表面上，因此可以提供均匀的光转换效果。再者，也可另外制成荧光片体，在测试好荧光片体色温后，贴覆在保护胶的平坦上表面上，以取代印刷步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种，尤其提供一种具有均 匀荧光粉层的。
技术介绍
发光二极管(Light emitting diode, LED)因为利用直接能带隙 (direct bandgap)发光，且可以由半导体工艺生产，所以具有高效率 及低成本的优点。随着蓝光二极管的研发成功及功率提高，发光二极 管在一般照明(general lighting )及背光(back light)应用方面也逐渐 受到人们的重视。图l示出了在美国专利20050274959中/>开的一种高功率发光二 极管封装，其用以封装高功率发光二极管芯片401。如图1所示，所 述高功率发光二极管封装主要包括硅基座(silicone submount) 402、 散热座409及聚光杯413。所述硅基座402具有凹槽及位于凹槽中的 电极(未标号)。发光二极管芯片401以覆晶方式安装在硅基座402 的凹槽中，且经由焊锡414a及414b电连接到凹槽中的电才及。凹槽中 的电极借由焊接线412a及412b而连接到位于散热座409上的外部电 极406a及406b,以与外部电源连接，从而为所述发光二才及管芯片401 提供电力。所述聚光杯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装制作方法，包括下列步骤：提供具有多个凹槽的硅凹槽数组；在所述凹槽内依次形成位于所述凹槽的上表面上的反射层、以及位于所述反射层上的透明绝缘层；在每一凹槽内的所述透明绝缘层上形成金属凸块；将发光二极管安装在所述金属凸块上，且所述发光二极管的电极在与所述金属凸块相反的侧面上；将所述硅凹槽数组切割成多个硅基座，且每一硅基座具有至少一个凹槽；使用保护胶将所述硅基座的所述凹槽填平，以提供平整的上表面；以及使用印刷方式在所述保护胶上形成荧光层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装制作方法，包括下列步骤提供具有多个凹槽的硅凹槽数组；在所述凹槽内依次形成位于所述凹槽的上表面上的反射层、以及位于所述反射层上的透明绝缘层；在每一凹槽内的所述透明绝缘层上形成金属凸块；将发光二极管安装在所述金属凸块上，且所述发光二极管的电极在与所述金属凸块相反的侧面上；将所述硅凹槽数组切割成多个硅基座，且每一硅基座具有至少一个凹槽；使用保护胶将所述硅基座的所述凹槽填平，以提供平整的上表面；以及使用印刷方式在所述保护胶上形成荧光层。2. 如权利要求1所述的发光二极管封装制作方法，进一步包括将 所述硅基座安装在导热板上的步骤。3. 如权利要求2所述的发光二极管封装制作方法，进一步包括在 所述导热板上安置聚光杯以包覆所述硅基座的步骤。4. 如权利要求2所述的发光二极管封装制作方法，其中所述导热 板为印刷电路板、铜板或石墨金属复合物材料。5. 如权利要求3所述的发光二极管封装制作方法，其中所述聚光 杯的材料为PC塑料或压克力。6. 如权利要求1所述的发光二极管封装制作方法，其中所述使用 印刷方式形成荧光层的步骤是在黄光室中进行的。7. 如权利要求6所述的发光二极管封装制作方法，其中所述印刷 步骤是采用刮刀涂布荧光粉溶液进行的。8. 如权利要求7所述的发光二极管封装制作方法，其中所述荧光 粉溶液是硅树脂与YAG黄色荧光粉以100: 13的比例调配而成的。9. 如权利要求1所述的发光二极管封装制作方法，其中所述硅凹 槽数组是通过湿蚀刻硅晶片制成的，且所述凹槽的深度为100-300毫 米，所述凹槽的角度为15-140度。10. 如权利要求1所述的发光二极管封装制作方法，其中所述荧 光层的厚度为50-200微米，且与所述发光二极管的距离为100微米。11. 一种发光二极管封装制作方法，包括下列步骤 提供硅基座，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚先进，许弘宗，
申请(专利权)人：兆立光电有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]