发光二极管的制作方法及由该方法制作的发光二极管技术

本发明专利技术提供一种发光二极管的制作方法及由该方法制作的发光二极管，该制作方法包括下列步骤：提供硅晶圆，在硅晶圆上表面形成凹槽阵列；在各凹槽内形成两个贯穿硅晶圆的缺口；将发光二极管芯片倒装安装于凹槽内，且使发光二极管芯片的电极对应盖设于缺口上；在凹槽内设置覆盖发光二极管芯片且具有平整上表面的保护层；在硅晶圆的下表面形成通过缺口与电极电连接的金属层；对金属层进行图案化以形成与电极电连接的金属引线；将硅晶圆切割为多个包括至少一个凹槽的硅基座；及在保护层的上表面形成荧光层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管的制作方法，尤其涉及一种具有均匀 荧光层的发光二极管的制作方法，以及由该方法制作的发光二极管。
技术介绍
发光二极管(Light emitting diode, LED)具有反应速度快、寿命 长，以及体积小等优点，可广泛地用于各种指示器以作为光源使用。 随着白光发光二极管的成功研发及其发光效率的提升，发光二极管在 一般照明(general lighting )领域的应用也逐渐受到重视。参见图1，为了提高发光效率，第20050274959号美国专利公开 了一种高功率发光二极管，其引入硅基座(silicon submount) 402，用 于承载发光二极管芯片401，并供发光二极管芯片401以倒装接合(flip chip bonding )方式与珪基座402形成电连接，并将硅基座402设于散 热座409上，使硅基座402的电极通过焊线412a、 412b与散热座409 的外部电极406a、 406b电连接。然而，若要在这种发光二极管的硅基座402的凹槽中加入荧光粉 (phosphor),通常需以点胶方式注入。但是由于在点胶工艺中难以控 制荧光粉的均匀度，因而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的制作方法，包括下列步骤：　提供硅晶圆，所述硅晶圆具有上表面及下表面；　在所述硅晶圆的上表面形成包括多个凹槽的凹槽阵列；　在各所述凹槽内形成两个贯穿所述硅晶圆的缺口；　将多个发光二极管芯片分别倒装安装于各所述凹槽内，且使各所述发光二极管芯片的两个电极对应盖设于所述缺口上；　在各所述凹槽内设置覆盖各所述发光二极管芯片且具有平整上表面的保护层；　在所述硅晶圆的下表面形成金属层，所述金属层通过所述缺口分别与所述电极电连接；　对所述金属层进行图案化，以形成多个分别独立地与所述电极电连接的金属引线；　将所述硅晶圆切割为多个包括至少一个所述凹槽的硅基座；以及　在所述保护层的上表面形成荧光层。

【技术特征摘要】
1. 一种发光二极管的制作方法，包括下列步骤提供硅晶圆，所述硅晶圆具有上表面及下表面；在所述硅晶圆的上表面形成包括多个凹槽的凹槽阵列；在各所述凹槽内形成两个贯穿所述硅晶圆的缺口；将多个发光二极管芯片分别倒装安装于各所述凹槽内，且使各所述发光二极管芯片的两个电极对应盖设于所述缺口上；在各所述凹槽内设置覆盖各所述发光二极管芯片且具有平整上表面的保护层；在所述硅晶圆的下表面形成金属层，所述金属层通过所述缺口分别与所述电极电连接；对所述金属层进行图案化，以形成多个分别独立地与所述电极电连接的金属引线；将所述硅晶圆切割为多个包括至少一个所述凹槽的硅基座；以及在所述保护层的上表面形成荧光层。2.如权利要求1所述的制作方法，其中所述凹槽是以非等向性蚀 刻方式形成的。3.如权利要求2所述的制作方法，其中使各所述凹槽深度为 100-400/mi， 角为45-75度(4. 如权利要求1所述的制作方法，其中所述缺口是以击穿或激光 钻孔的方式形成的。5. 如权利要求1所述的制作方法，其中使所述保护层的上表面与 所述硅晶圆的上表面平齐。6. 如权利要求5所述的制作方法，其中所述保护层是以硅树脂进 行多层涂布的。7. 如权利要求1所述的制作方法，其中所述金属层包括先形成于所迷硅晶圆的下表面的铬层，以及形成于所述铬层下表面的铜层。8. 如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张育康，温丰远，
申请(专利权)人：兆立光电有限公司，
类型：发明
国别省市：VG[英属维尔京群岛]