【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于LED热沉的
,特别涉及LED芯片陶瓷基座与CVD金刚石膜结合做LED新型热沉材料。
技术介绍
LED全称为半导体发光二极管,可直接将电能转化成光能。半导体元器件通常对温度十分敏感,对于大功率LED来说,P-N结的温度上升非常明显,而许多应用又需要将多个大功率LED密集矩阵排列使用,其散热问题尤其明显。长时间发热或过高的温度会严重影响器件的效率、稳定性和使用寿命,所以热沉材料的选用是提高LED性能需要考虑的问题。而当前需要耐高温的LED,以长时间照明的路灯、需强光照明的医疗灯具、大面积显示屏等用途为主,因此必须选择可高度散热的LED商品。和本专利技术接近的是潮州三环(集团)股份有限公司的专利技术专利(申请号200810066253.3, 200810066254.8)。公开的一种高功率LED陶瓷封装基座,是在原有结构的基础上,将基座的下陶瓷层改为由氧化铝陶瓷材料或氮化铝陶瓷材料制成。上述专利提到了一种SMD高功率LED的A1203或AIN陶瓷封装基座,提高了 SMD高功率LED封装基座散热性能,增强了 LED产品耐高低温冲击性能。但是八120 ...
【技术保护点】
一种用金刚石膜做热沉材料的LED芯片基座,结构包括上陶瓷层10、下陶瓷层20;在上陶瓷层10上面安装有反射杯5;下陶瓷层20上面安装有贴片区1、电极打线区2,在下陶瓷层20内开有竖直的电导通孔4和装有竖直的导热柱6,在下陶瓷层20下面安装有底部焊盘3和散热焊盘7;下陶瓷层20采用Al2O3陶瓷材料或A1N陶瓷材料;其特征是,在下陶瓷层20上表面或/和下表面上有金刚石膜9;所述的导热柱6是CVD金刚石、聚晶金刚石、聚晶立方氮化硼材料的。
【技术特征摘要】
1、一种用金刚石膜做热沉材料的LED芯片基座,结构包括上陶瓷层10、下陶瓷层20;在上陶瓷层10上面安装有反射杯5;下陶瓷层20上面安装有贴片区1、电极打线区2,在下陶瓷层20内开有竖直的电导通孔4和装有竖直的导热柱6,在下陶瓷层20下面安装有底部焊盘3和散热焊盘7;下陶瓷层20采用Al2O3陶瓷材料或A1N陶瓷材料;其特征是,在下陶瓷层20上表面或/和下表面上有金刚石膜9;所述的导热柱6是CVD金刚石、聚晶金刚石、聚晶立方氮化硼材料的。2、 一种权利要求1的用金刚石膜做热沉材料的LED芯片基座的制作方法, 首先在下陶瓷层20的表面沉积金刚石膜,再在下陶瓷层20上安装上陶瓷层10 和反射杯5,最后在下陶瓷层20...
【专利技术属性】
技术研发人员:李红东,吕宪义,崔田,何志,邹广田,张彤,吕建楠,
申请(专利权)人:吉林大学,
类型:发明
国别省市:82[中国|长春]
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