描述了一种处理包括多个管芯的ＩＣ晶片的方法。焊料凸点形成在所述晶片的有源表面的键合焊盘上。所述凸点晶片的背面被粘合到第一安装带。在晶片仍固定到所述第一带的同时切割所述晶片，以提供多个独立的管芯。切割的管芯的有源表面然后被粘合到第二带，同时所述第一带仍然粘合到管芯的背面。所述第一带然后被去除。以这种方式，所述管芯的背面保持暴露并面朝上，同时所述管芯的有源表面粘合到所述第二带。所述方法允许使用不是针对用作倒装芯片贴片机而设计的常规贴片机。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及集成电路(ic)的封装.更具体而言，描述了一种用于处理IC管芯的方法.
技术介绍
存在很多用于将集成电路(IC)管芯贴装到印刷电路板(PCB)的 常规方法。通常，管芯被封装成塑料或陶瓷封装.这种封装通常使用 金属化引线框。所述引线框一般包括多个与管芯上的相关键合焊盘电 连接的引线。所述引线框还一般包括相关的金属化接触，用于将所述 封装电连接到PCB上的接触.备选地，管芯本身上的键合焊盘可以直 接连接到PCB上的接触.一种类型的管芯已知为倒装芯片管芯.倒装芯片管芯一般具有在 管芯的有源表面的键合焊盘上形成的焊料凸点.在从晶片切割之后， 在贴装到合适的衬底之前，所述管芯一般被倒置.合适的衬底包括引 线框、球栅阵列(BGA)和PCB。尽管现有的倒装芯片封装方法和系统工作良好，但仍继续努力研 发更有效的方法和系统来封装焊料凸点管芯。
技术实现思路
在一个实施例中，描述了一种处理包括多个集成电路管芯的集成 电路晶片的方法.每个集成电路管芯包括有源表面和背面。多个键合 焊盘形成在所述有源表面上.在所述方法中，所述晶片的背面被安装 并粘合到笫 一可释放安装带。焊料凸点形成在所述键合焊盘上以形成 凸点晶片。在一个实施例中，在所述笫一可释放带被粘合到晶片的背 面之前，在所述键合焊盘上形成焊料凸点。在晶片仍然固定在所述笫一可释放安装带上的同时，所述晶片被 切割，以提供多个独立的凸点管芯。应当注意所述切割不完全切透第 一可释放安装带。这样，被切割管芯的背面保持粘合到所述第一可释 放安装带。被切割管芯的凸点有源表面然后被粘合到第二带，同时所述第 一可释放安装带仍然粘合在被切割管芯的背面。然后该笫 一可释 放安装带可以被释放并从管芯的背面去除.以这种方式，管芯的背面 可以保持暴露且面朝上，同时管芯的凸点有源表面粘合到所述笫二带。在某些实施例中，独立的管芯从所述第二带拾取、对准并贴装到 合适的衬底.举例来说，管芯上的鍵合焊盘可以通过焊料凸点贴装并 电连接到引线框面板的引线.在一个优选实施例中，并不是针对用作 倒装芯片贴片机而设计的常规贴片机可用于拾取、对准和放置管芯到 所需的衬底.附图说明为更好地理解本专利技术，将结合附图在下面进行详细描述，附图中 图1示出了根据本专利技术一个实施例的用于切割和贴装倒装芯片管 芯的工艺流程图；图2A-2E示出了图1工艺中的各个阶段' 贯穿附图，相同的参考数字表示相应的部分.具体实施方式本专利技术一般涉及集成电路(IC)封装.更具体而言，描述了一种 用于处理IC管芯的方法.在下面的描述中，提出了很多特定细节以提供本专利技术的彻底理 解。然而对于本领域技术人员来说，很明显，可以在不具备某些或全 部这些特定细节的条件下实施本专利技术.在其他实例中，并没有具体地 描述已知的工艺步骤以避免混淆本专利技术，下面的描述集中于使用引线框的倒装芯片类型管芯的封装.然 而，可以预期，本专利技术可以有利地在将各种焊料凸点管芯封装成各种 封装配置中实施，在所述封装配置中，管芯上的焊料凸点直接与衬底 上的金属化接触电连接.将参考图1-2描述本专利技术的各个实施例.本专利技术的方案提供了一 种使用常规贴片机封装焊料凸点管芯的方法.更具体而言，描述了一 种用于切割和制备用于贴装到合适衬底的焊料凸点管芯的方法，该方 法使用并不针对配置用作倒装芯片贴片机的贴片机.一般而言，倒装芯片贴片机明显比常规(非倒装芯片)贴片机更昂贵。举例来说，倒装芯片贴片机目前可能花费约高达$500， 000，而 相比而言，常规贴片机大约为$150, 000 ~$200， 000.而且，常规贴片 机比倒装芯片贴片机明显更快.举例来说，常规贴片机可以每小时贴 装高达10， 000- 15, 000个管芯。相反，倒装芯片贴片机每小时能够贴 装小于4， 000个管芯，不过，倒装芯片贴片机确实提供了诸如处理高 管脚数器件的能力这类的优点.然而，这些高管脚数能力对于很多应 用并不需要.更具体而言，很多应用，例如，采用微型表面安装器件(SMD)的那些应用需要很少的管脚数.由此希望调整封装工艺，使得 高速常规贴片机可用于拾取和放置管芯到衬底上.首先参考图1，然后进一步参考图2A-2E的视图，将描述根据本 专利技术一个实施例的切割和处理集成电路管芯的工艺ioo.提供了包括大 量管芯的半导体晶片202.在一个实施例中，每个管芯被配置，以用作 微型SMD。微型SMD可以被直接贴装到PCB，或备选地，可以在贴装到 PCB之前被封装.在各个其他实施例中，每个管芯可以被配置，用于引 线上倒装芯片(FCOL)封装，或者除此之外，用于包括球栅阵列(BGA) 封装、平面栅格阵列(LGA)封装的很多其他类型封装的其中之一。在102，晶片202的背面208被安装并粘合到晶片安装带210，如 图2A所示.在一个优选实施例中，晶片安装带210是可释放带，举例 来说，可释放安装带210可以是紫外(UV)可释放带，当暴露于UV光 时，它失去其粘合性。在一个实施例中，在安装和粘合晶片到晶片安 装带210之前，晶片202是有凸点的.焊料凸点204可以直接在管芯 的有源表面206上的I/O焊盘上形成，或使用常规再分布技术形成于 由I/O焊盘重新分布的其他鍵合焊盘上.此外，凸点底部金属化堆栈(UBM)可以先于焊料凸点在管芯的键合焊盘上形成。 一般地，焊料凸 点204意在被直接安装和贴装到诸如引线框或印刷电路板(PCB)之类的衬底的接触伴盘.在104，晶片202被切割，产生很多独立的焊料凸点管芯212，如 图2B所示。尽管图2B中所示出的剖面示出了晶片202仅被分割成6 个管芯212，但应当理解的是，晶片上形成的管芯的数目可以明显更 大，举例来说，晶片202可以包括数千个焊料凸点管芯212.在一个实 施例中，晶片202被诸如排锯(gang-cutting saw)之类的晶片切割机切割。应当注意，带210不被完全切透，或另外地，它在切割管 芯212的过程中被切割，可以预见，部分带210可以被切割，然而， 优选地，始终没有穿透带的切割发生，使得所述带在切割之后保持完 整。还应当注意管芯212的背面214保持粘合到带210。在106，被整体切割的晶片和带210然后整个被倒置，使得管芯 212的有源表面216面朝下，如图2C所示。晶片可以使用任意合适的 装置倒置.接着，在108，如图2D所示，管芯212的有源表面216然 后被安装并粘合到笫二带218.在一个实施例中，该第二带218也是 UV可释放带或其他可释放带。在本领域中已知UV释放带一般比其他常 规晶片安装带提供更好的粘合性.假设带218 —般仅接触管芯212的 有源表面216上总表面积的一小部分可能是有利的.更具体而言，在 一个实施例中，带218仅接触焊料凸点204,在一个备选实施例中，在倒置管芯之前，第二带218可以被粘合 到管芯212的有源表面216。接着，第一带210、管芯212以及第二带 218可以同时被倒置.该实施例可以在倒置工艺过程中为切割的管芯 212提供更好的稳定性。更具体而言，所述带和被切割晶片的弯曲可以 减小。反过来，这可以减少在倒置工艺过程中管芯212从第一带分离 或甚至由于与其他管芯接触而损害的可能性，尤其是，如果所述带和 被分割的晶片在倒置过程中本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种处理凸点集成电路晶片的方法，该晶片具有其中形成的多个集成电路管芯，每个集成电路管芯包括有源表面和背面，该有源表面具有多个键合焊盘，该键合焊盘具有位于其上的焊料焊盘，该方法包括：粘合凸点晶片的背面到第一可释放安装带；在所述晶片被固定到第一可释放安装带时切割所述晶片，以提供多个独立的凸点管芯，其中所述切割不完全切透该第一可释放安装带，且其中被切割管芯的背面保持粘合到该第一可释放安装带；粘合所述被切割管芯的凸点有源表面到第二带，同时第一可释放安装带仍然粘合到该管芯的背面；以及释放该第一可释放安装带并从管芯的背面去除该可释放安装带，由此使管芯的背面保持暴露并面朝上，同时管芯的凸点有源表面粘合到所述第二带。
【技术特征摘要】
US 2007-3-26 11/6914311.一种处理凸点集成电路晶片的方法，该晶片具有其中形成的多个集成电路管芯，每个集成电路管芯包括有源表面和背面，该有源表面具有多个键合焊盘，该键合焊盘具有位于其上的焊料焊盘，该方法包括粘合凸点晶片的背面到第一可释放安装带；在所述晶片被固定到第一可释放安装带时切割所述晶片，以提供多个独立的凸点管芯，其中所述切割不完全切透该第一可释放安装带，且其中被切割管芯的背面保持粘合到该第一可释放安装带；粘合所述被切割管芯的凸点有源表面到第二带，同时第一可释放安装带仍然粘合到该管芯的背面；以及释放该第一可释放安装带并从管芯的背面去除该可释放安装带，由此使管芯的背面保持暴露并面朝上，同时管芯的凸点有源表面粘合到所述第二带。2. 权利要求l中所述的方法，进一步包括从该笫二带拾取独立的 管芯，对准和贴装所述独立的管芯到合适的衬底.3. 权利要求2中所述的方法，其中使用不是针对用作倒装芯片贴 片机而设计的贴片机来完成拾取、对准和贴装，且其中所述贴片机并不 倒置所述管芯.4. 权利要求2或3中所述的方法，进一步包括在贴装所述管芯到 所述衬底之前，...
【专利技术属性】
技术研发人员：JA巴扬，N屠，A波达，A普拉布，
申请(专利权)人：国家半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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