芯片尺寸封装制造技术

一种用于制造半导体封装的方法，包括在传导外壳的内部形成框架，所述框架不会由于液相焊锡而变湿。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】芯片尺寸封装相关申请本申请基于并要求于2005年4月20日提交的名为SOLDER MASK INSIDE DIRECT FET CAN的美国临时专利申请No. 60 / 673,160的优先权， 其内容引用于此作为参考。
技术介绍
本专利技术涉及功率半导体封装以及生产功率半导体封装的方法。 参考图l一4，根据现有技术的封装IO包括传导外壳12和功率半导体冲 模14。外壳12典型地是利用诸如铜或基于铜的合金这样的导电材料形成的， 并且可涂有银、金等等。冲模14可以是纵向传导型功率半导体金属氧化物 半导体场效应管(MOSFET)，该功率半导体MOSFET的漏极16通过诸如 焊锡或导电环氧树脂(例如银环氧树脂)这样的导电粘合剂18而电学地且 机械地附着于外壳12的内表面上。冲模14的每一个源极20和栅极22 (排 列在与漏极相反的表面上)包括如图4所示便于通过导电粘合剂(例如焊锡 或导电环氧树脂)而直接与电路板28的相应传导垫24，26相连的可焊主体。 值得注意的是，冲模14进一步包括局部地覆盖源极20和栅极22的钝化主 体30，但是包括开口以可至少达到其可焊部分以进行电连接。还应该注意的 是，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体封装的方法，包括：　　　　在传导外壳的内部形成框架以对所述外壳内部的用于收纳半导体冲模的收纳区进行定义，所述框架不会由于液相焊锡而变湿；　　　　提供在其一个表面上具有第一功率电极的半导体设备；　　　　将焊膏块放入至所述表面区域与所述第一功率电极之间；　　　　使所述焊膏回流；以及　　　　使所述焊膏凝固。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-4-20 60/673,160;US 2006-4-18 11/405,8011.一种用于制造半导体封装的方法，包括在传导外壳的内部形成框架以对所述外壳内部的用于收纳半导体冲模的收纳区进行定义，所述框架不会由于液相焊锡而变湿；提供在其一个表面上具有第一功率电极的半导体设备；将焊膏块放入至所述表面区域与所述第一功率电极之间；使所述焊膏回流；以及使所述焊膏凝固。2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体设备为功率半导体设备。3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体设备为功率金属氧化 物半导体场效应管。4. 根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体设备为绝缘栅双极型 晶体管。5. 根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体设备为二极管。6. 根据权利要求1所述的方法，其中所述框架为按滴沉积。7. 根据权利要求1所述的方法，其中所述框架为印刷模版。8. 根据权利要求1所述的方法，其中所述传导外壳包括网膜部分以及 环绕所述网膜部分的壁，所述表面区域定义在所述网膜部分上。9. 根据权利要求l所述的方法，其中所述传导外壳由铜组成。10. 根据权利要求1所述的方法，其中所述传导...

【专利技术属性】
技术研发人员：M施坦丁，RJ克拉克，
申请(专利权)人：国际整流器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]